等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD

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主要特點(diǎn)：

1. 單個(gè)基片、碎片或帶承片盤的基片(3”-12”尺寸)

2. 適用于實(shí)驗(yàn)室和試制線生產(chǎn)

3. 沉積薄膜：氧化物、氮氧化物、氮化物和無定形硅

4. 操作簡單通過打開室蓋，直接將基片裝入工藝室

5. 可選配一個(gè)ICP 或三極管（Triode）源，三極管可獲得更高密度等離子

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