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Item
Unit
Sepcification
Remarks
Crystal Growth
VGF HB VB
Dopant
Si or Zn or undope
N-type/ P-type/ undope
Diameter
1” 2” 3” 4” 6”
Orientation
(100) (111)
Other orientation available
Carrier Concentration
/cm3
0.4~2.5*1018
Other spec. available
Resisitivity
Ohm.cm
(0.8-9)×10-3 (1-9)×1017
Mobility
cm2/v.s
1500~3000 3000~5000
EPD
/cm2
<100 <500<>
<5000 <10000<>
Thickness
~350um ~625um
TTV
um
<10um or better
TIR
Bow
Warp
Surface
PE PP
Epi-ready
Yes