揭秘http://.的神秘拋光技術
拋光液產品性能穩定、md,對環境無污染等作用,光液使用方法:包括棘輪扳手、開口扳手,批咀、套筒扳手,六角扳手,螺絲刀等,鉛錫合金、鋅合金等金屬產品經過研磨以后,再使用拋光劑配合振動研磨光飾機,滾桶式研磨光式機進行拋光;1拋光劑投放量為(根據不同產品的大小,光飾機的大小和各公司的產品光亮度要求進行適當配置),2:拋光時間:根據產品的狀態來定。3、拋光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。
http://.的拋光技術:
最初的半導體基片(襯底片)拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等,但是得到的晶片表面損傷是及其嚴重的。直到60年代末,一種新的拋光技術——化學機械拋光技術(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優勢:
單純的化學拋光,拋光速率較快,表面光潔度高,損傷低,wm性好,但表面平整度和平行度差,拋光后表面一致性差;
單純的機械拋光表面一致性好,表面平整度高,但表面光潔度差,損傷層深。
化學機械拋光可以獲得較為wm的表面,又可以得到較高的拋光速率,得到的平整度比其他方法高兩個數量級,是目前能夠實現全局平面化的{wy}有效方法。依據機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等,對硅單晶片化學機械拋光(CMP)機理、動力學控制過程和影響因素研究標明,化學機械拋光是一個復雜的多相反應,它存在著兩個動力學過程:
?。?)拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。
?。?)拋光表面反應物脫離硅單晶表面,即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程,要獲得質量好的拋光片,必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用,則拋光片表面產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用,則表面產生高損傷層。
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