揭秘http://.的神秘拋光技術
拋光液產品性能穩(wěn)定、md，對環(huán)境無污染等作用，光液使用方法：包括棘輪扳手、開口扳手，批咀、套筒扳手，六角扳手，螺絲刀等，鉛錫合金、鋅合金等金屬產品經過研磨以后，再使用拋光劑配合振動研磨光飾機，滾桶式研磨光式機進行拋光；1拋光劑投放量為（根據(jù)不同產品的大小，光飾機的大小和各公司的產品光亮度要求進行適當配置），2：拋光時間：根據(jù)產品的狀態(tài)來定。3、拋光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。
http://.的拋光技術：
最初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是及其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優(yōu)勢：
單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，wm性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；
單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深。
化學機械拋光可以獲得較為wm的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數(shù)量級，是目前能夠實現(xiàn)全局平面化的{wy}有效方法。依據(jù)機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程：
（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。
（2）拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面產生高損傷層。
河南省南陽市騰達研磨技術有限公司是一家專業(yè)生產拋光液,拋光布,研磨盤,研磨液,合成鐵盤,合成銅盤,合成錫盤的經營科技型企業(yè)。
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