供應激光二極管650nm 10mw
型號：QL65F6SA-L
激光二極管品牌：QSI
輸出波長:650nm
功率：10mw
溫度：-10~40度
儲存溫度：-40~85
類型：量子阱/QW型
半導體材料：砷化鎵
外形尺寸：5.6mm
使用范圍：激光指揮棒（Laser Pointer）；
條形碼閱讀器，條形碼閱讀機（ Bar Code Reader）；
激光模組 （laser module）
備注：此款為低電流款，{zd0}電流25MA
隨著產品的不斷成熟和新產品的不斷涌現，激光二極管被越來越多地作為下一代高科技行業的核心器件，目前，激光二極管的應用迅速延伸到三維立體游戲、智能界面,jy雷達,激光全色顯示，智能自動駕駛、下一代光存儲等領域。
半導體激光器產品主要包括：半導體激光器、激光準直光源、激光平行光管、激光標線儀，光學透鏡、激光功率計等。半導體激光器主要包括綠光(532nm)系列激光器、紅光(635nm、650nm、780nm)系列激光器和紅外(808nm、905nm)系列激光器。
半導體的導電能力介于導體和絕緣體之間，指常溫下導電性能介于導體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料,故稱為半導體，典型的半導體材料有硅(Si) 鍺、 (Ge)、硒(Se)、砷化鎵(GaAs)及許多金屬氧化物和金屬硫化物等。半導體具有以下特性：
(1)熱敏特性：當半導體受熱時，電阻率會發生變化，利用這個特性制成熱敏電阻。
(2)光敏特性：當半導體受到光照時，電阻率會發生改變，利用這個特性制成光敏器件，如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等。
(3)雜敏特性：當在純凈的半導體中摻入微量的其它雜質元素(如磷、硼等)時，其導電能力會顯著增加，利用這個特性制成半導體器件，如半導體二極管、半導體三極管、場效應管、晶閘管等等。
本征半導體
1.本征半導體
具有晶體結構的純凈半導體稱為本征半導體。最常用的半導體材料為硅(Si)和鍺(Se)。
2.半導體的共價鍵結構
在硅或鍺的本征半導體中，由于原子排列的整齊和緊密，原來屬于某個原子的價電子，可以和相鄰原子所共有，形成共價鍵結構。
3.載流子
在{jd1}零度和未獲得外加能量時，半導體不具備導電能力。但由于共價鍵中的電子為原子核最外層電子，在溫度升高或者外界供給能量下最外層電子容易被熱激發成為自由電子。共價鍵失去電子后留下的空位稱為空穴，電子和空穴成對出現，稱為載流子。空穴參與導電是半導體導電的特點，也是與導體導電最根本的區別。
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