常規規格尺寸

筆記本專用 氮化鋁散熱片 高導熱 大功率 導熱片 陶瓷片

◆ TO-220、1mm* 14mm*20mm 1mm*12mm*18mm

◆ TO- 3P、 1mm*20mm*25mm 0.635mm*20mm*25mm

◆ TO-264、1mm*22mm*28mm 0.635mm*22mm*28mm

◆ T0-247、1mm*17mm*22mm 0.635mm*17mm*22mm

1mm*140mm*190mm 0.635mm*140mm*190mm

1mm*115mm*115mm 1mm*100mm*100mm

AIN氮化鋁,晶體以〔AIN4〕四面體為結構單元共價鍵化合物，具有纖鋅礦型結構，屬六方晶系。化學組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數（4.0-6.0）X10（-6）/℃。多晶AIN熱導率達260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的極熱。此外，氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性，特別是對熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。

性能指標

?(1)熱導率高(約320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；

?(2)熱膨脹系數(4.5×10-6℃)與Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；

?(3)各種電性能(介電常數、介質損耗、體電阻率、介電強度)優良；

?(4)機械性能好，抗折強度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常壓燒結；

?(5)光傳輸特性好；

?(6)md；

AlN陶瓷基片主要性能指標

性能內容

性能指標

熱導率(W/m·k）

≥170

體積電阻率（Ω·cm）

＞1013

介電常數[1MHz,25℃]

9

介電損耗[1MHz,25℃]

3.8х10-4

抗電強度(KV/mm)

17

體積密度（g/cm3）

≥3.30

表面粗糙度Ra(μm)

0.3~0.5

熱膨脹系數[20℃ to 300℃](10-6/℃)

4.6

抗彎強度(MPa)

320~330

彈性模量(GPa)

310~320

莫氏硬度

8

吸水率(%)

0

翹曲度(~/25(長度))

0.03~0.05

熔點

2500

外觀/顏色

灰白色

注：1.表面光潔度經拋光處理后，Ra≤0.1μm；

2.產品各向尺寸精度通過激光劃線保證，最小值±0.10mm；

3.特殊規格產品可按客戶要求定制生產。

氮化鋁陶瓷片(也叫薄膜金屬化基板)廣泛應用于混合集成電路互連基板、微波器件、光電通信、傳感器、MCM等領域。包括光電器件基板、陶瓷載體、激光器載體、片式電容、片式功率分配器、傳感器、叉指電容和螺旋電感等。

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