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sram和dram的區(qū)別 CY62136ESL 主要有: 1. 存儲容量: 存儲單元個數(shù)M×每單元位數(shù)N 2. 存取時間:從啟動讀(寫)操作到操作完成的時間 3. 存取周期:兩次獨立的存儲器操作所需間隔的最小時間 4. 平均故障間隔時間MTBF(可靠性) 5. 功耗:動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗
sram和dram的區(qū)別 CY62136ESL
主要有:
1. 存儲容量: 存儲單元個數(shù)M×每單元位數(shù)N
2. 存取時間:從啟動讀(寫)操作到操作完成的時間
3. 存取周期:兩次獨立的存儲器操作所需間隔的最小時間
4. 平均故障間隔時間MTBF(可靠性)
5. 功耗:動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗
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