Lyontek存儲器 內存芯片 LY62W51316
SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間,要刷新充電一次,否則內部的數據即會消失,因此SRAM具有較高的性能,功耗較小,但是SRAM也有它的缺點,即它的集成度較低,相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM顯得更貴。
主要有:
1. 存儲容量: 存儲單元個數M×每單元位數N
2. 存取時間:從啟動讀(寫)操作到操作完成的時間
3. 存取周期:兩次獨立的存儲器操作所需間隔的最小時間
4. 平均故障間隔時間MTBF(可靠性)
5. 功耗:動態功耗、靜態功耗
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