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東莞市鼎偉新材料有限公司
18681059431
東莞市南城區民間金融大廈
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東莞市鼎偉新材料有限公司

公司是專業生產高純金屬材料,蒸發鍍膜材料以及濺射靶材的高新技術企業應用開發的科技型民營股份制工貿有限公司。公司以青島大學和青島科技大學蒸發材料專業為技術依托,擁有多名中高級專業技術人員和專業化應用實驗室,具有很強的蒸發材料開發能力。公司先后研發的蒸發材料、濺射靶材系列產品廣泛應用到國內外眾多知名電子、太陽能企業當中,以較高的xjb,成功發替代了國外進口產品,頗受用戶好評。
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東莞市鼎偉靶材有限公司是專業生產純金屬材料,蒸鍍膜材料以及濺射靶材的技術企業應用的科技型民營股份制工貿有限公司。公司以青島大學和青島科技大學蒸材料專業為技術依托,擁有多名中級專業技術人員和專業化應用實驗室,有很強的蒸材料能力。公司先后研的蒸材料、濺射靶材系列產品廣泛應用到國內外眾多知名子、太陽能企業當中,以較的價比,成功替代了國外進口產品,頗受用戶好評。

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東莞市鼎偉靶材有限公司

聯系人:肖先生

手機:18681059472           

話:0769-88039551

網站:    

郵箱: 

地址:東莞市南城區民間金融大廈

公司主要經營產品: 

一、真空鍍膜材料 

1.純真空濺射靶材(99.9%——99.999%)

純金屬靶材:鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、銦靶、硼靶B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、鉭靶 Ta、鋅靶Zn、鎂靶Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鈷靶Co、鐵靶Fe、鍺靶Ge、鉿靶Hf、鉛靶Pb、鎳靶Ni、銀靶Ag、硒靶Se、鈹靶Be、碲靶Te、不銹鋼靶材S.S等……

 

多元合金靶材: 鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr、鎳鋁靶Ni-Al、鎳釩靶Ni-V、鎳鐵靶Ni-Fe、鐵鈷靶Fe-Co、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si、鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等……

 

陶瓷濺射靶材:ITO靶、單晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化鈦靶TiO2、氧化鋯靶ZrO2、二硼化鈦靶TiB2、氧化鎂靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二釔靶Y2O3、五氧化二釩靶V2O5、氧化鋅靶ZnO、硫化鋅靶ZnS、硫化鉬靶MoS、硫化鎢靶WS、氧化鋅鋁靶ZAO、氧化鋁靶Al2O3、鈦酸鍶靶SrTiO3、五氧化二鉭靶Ta2O5、五氧化二鈮靶Nb2O5、氧化鋅鎵靶ZGO、氧化鋅硼靶ZBO、砷化鎵靶GaAs,磷化鎵靶GaP,硒化鋅靶、錳酸鋰靶、鎳鈷酸鋰靶、鉭酸鋰靶,鈮酸鋰靶、等… 

 

稀土金屬靶:鑭靶、鈰靶、鐠靶、釹靶、釤靶、銪靶、釓靶、鋱靶、鏑靶、鈥靶、鉺靶、銩靶、鐿靶、镥靶、釔靶等… 

 

稀土氧化物靶:氧化鑭靶、氧化鈰靶、氧化鐠靶、氧化釤靶、氧化銪靶、T18937326747(不是聯系方式)氧化釹靶、氧化釓靶、氧化鋱靶、氧化鏑靶、氧化鈥靶、氧化鉺靶、氧化銩靶、氧化鐿靶、氧化镥靶 

金屬膜阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu濺射靶材:

金屬膜阻器用靶材括阻系列(ZYG)、中阻系列(ZYZ)和低阻系列(ZYC)、超低阻系列(ZYCD)。

 

2.純光學鍍膜材料(99.99%——99.999%)

氧化物:一氧化硅、二氧化硅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、二氧化鈰、二鈦酸鐠、三氧化鎢、五氧化二鉭、五氧化二鈮、三氧化二鈧、三氧化二鋁、三氧化二銦、氧化鐿、氧化鋅、氧化鎂、氧化釓、氧化釤、氧化釹、氧化鈣、氧化鐠、氧化鉍、氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鐵、氧化釩等… 

氟化物:氟化鎂、氟化鈣、氟化釹、氟化鑭、氟化鐿、氟化釔、氟化鉺、氟化釤、氟化鏑、氟化鈰、氟化鋇、氟化鍶、氟化鉀、氟化鈉等… 

硫化物:硫化鋅、硫化鉬、硫化鈣、硫化銻、硫化鐵、硫化鈉等…






 

貴金屬:金、銀、鉑、釕、銠、鈀、鋨、銥

純金:金靶、金粒、金絲、金極、金片、金粉

純度:3N 、3N5、4N、4N5、5N

規格:金靶(平面圓靶,方靶,旋轉靶,臺階靶均可加工,規格戶要求定做)    金粒(規格Φ2*5mm,Φ2*10mm,其他規格定做)

      金絲(Φ0.2mm、Φ0.3mm、Φ0.5mm、Φ1mm其他規格定做)

      金片(根據戶要求定做)

      金粉(根據戶要求定做)

半導體領域應用靶材是靶材市場的主要組 成之一。在1991年的靶材市場銷售額中,有約’"60%為半導體領域應用靶材,35%用于記錄介質領 域,5%為顯示領域用靶材及其他。近年來,半導體領域應用靶材以近10%的年長率長[ 在硅片制成各種晶體管、二極管等元器件后,根據路設計要求,將這些元器件用金屬薄膜線條連接起來,形成有各種功能的集成路的工藝稱為金屬化。金屬化工藝是硅集成路制造工藝中非常重要的環節。金屬化系統和金屬化工藝的優劣 會影響路的能和可靠。

氧化鋯陶瓷        

濺射靶材          

黃金靶材    

工業陶瓷       

靶材廠家      

靶材          

氧化鋯陶瓷棒      

機械陶瓷配件  

子槍燈絲         

 


 

【原創內容】
用。靶材進行預濺射時建議慢慢加大濺射功率,陶瓷類靶材的功率加大速率建議為1.5W時/平方厘米。金屬類靶材的預濺射速度可以比陶瓷靶材塊,一個合理的功率加大速率為化合物覆蓋面積加的速率得不到抑制,濺射溝道將進一步被化合物覆蓋,當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候,靶wq中一、背靶材料無氧銅(OFC)–目前最常使用的作背靶的材料清潔。第四步在qc完有污垢的區域后,再用壓低水氣的氬氣沖洗靶材,以除去所有可能在濺射系統中會造成起弧的雜質粒三、靶材安裝靶材安裝過程中最重要的意事項是一定氣體(氬氣或氧氣)必須清潔并干燥,濺鍍腔內裝入基材后便需將空氣抽出,達到工藝所要求的真空度。暗區屏蔽罩,腔體壁及鄰近表面也需要保持潔凈。在清洗真空腔體時我們建議采時建議使用工業吸塵器進行輔助清潔。展金屬生產的靶材采用真空密封塑料袋裝,內置防潮劑。使用靶材時請不要用手直接接觸靶材。意:使用靶材時請配帶干凈而且不會起絨和背靶避免在運輸和儲存過程中生損壞。一、濺射準備保持真空腔體尤其是濺射系統潔凈是非常重要的。任何由潤滑油和灰塵以及前期鍍膜所形成的殘留物會收集水氣及其他污染物,用。靶材進行預濺射時建議慢慢加大濺射功率,陶瓷類靶材的功率加大速率建議為1.5W時/平方厘米。金屬類靶材的預濺射速度可以比陶瓷靶材塊,一個合理的功率加大速率為用。靶材進行預濺射時建議慢慢加大濺射功率,陶瓷類靶材的功率加大速率建議為1.5W時/平方厘米。金屬類靶材的預濺射速度可以比陶瓷靶材塊,一個合理的功率加大速率為

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