東莞市鼎偉靶材有限公司是專業生產純屬材料，蒸鍍膜材料以及濺射靶材的技術企業應用的科技型民營股份制工貿有限公司。公司以青島大學和青島科技大學蒸材料專業為技術依托，擁有多名中級專業技術人員和專業化應用實驗室，有很強的蒸材料能力。公司先后研的蒸材料、濺射靶材系列產品廣泛應用到國內外眾多知名子、太陽能企業當中，以較的價比，成功替代了國外進口產品，頗受用戶好評。

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東莞市鼎偉靶材有限公司

聯系人：肖先生

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地址：東莞市南城區民間融大廈

公司主要經營產品： 

一、真空鍍膜材料 

1．純真空濺射靶材（99.9％——99.999％）

純屬靶材：鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、銦靶、硼靶B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、鉭靶 Ta、鋅靶Zn、鎂靶Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鈷靶Co、鐵靶Fe、鍺靶Ge、鉿靶Hf、鉛靶Pb、鎳靶Ni、銀靶Ag、硒靶Se、鈹靶Be、碲靶Te、不銹鋼靶材S.S等……

多元合靶材： 鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr、鎳鋁靶Ni-Al、鎳釩靶Ni-V、鎳鐵靶Ni-Fe、鐵鈷靶Fe-Co、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si、鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等……

陶瓷濺射靶材：ITO靶、單晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化鈦靶TiO2、氧化鋯靶ZrO2、二硼化鈦靶TiB2、氧化鎂靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二釔靶Y2O3、五氧化二釩靶V2O5、氧化鋅靶ZnO、硫化鋅靶ZnS、硫化鉬靶MoS、硫化鎢靶WS、氧化鋅鋁靶ZAO、氧化鋁靶Al2O3、鈦酸鍶靶SrTiO3、五氧化二鉭靶Ta2O5、五氧化二鈮靶Nb2O5、氧化鋅鎵靶ZGO、氧化鋅硼靶ZBO、砷化鎵靶GaAs，磷化鎵靶GaP，硒化鋅靶、錳酸鋰靶、鎳鈷酸鋰靶、鉭酸鋰靶，鈮酸鋰靶、等… 

稀土屬靶：鑭靶、鈰靶、鐠靶、釹靶、釤靶、銪靶、釓靶、鋱靶、鏑靶、鈥靶、鉺靶、銩靶、鐿靶、镥靶、釔靶等… 

稀土氧化物靶：氧化鑭靶、氧化鈰靶、氧化鐠靶、氧化釤靶、氧化銪靶、T18937326747(不是聯系方式)氧化釹靶、氧化釓靶、氧化鋱靶、氧化鏑靶、氧化鈥靶、氧化鉺靶、氧化銩靶、氧化鐿靶、氧化镥靶 

屬膜阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu濺射靶材：

屬膜阻器用靶材括阻系列（ZYG）、中阻系列（ZYZ）和低阻系列（ZYC）、超低阻系列（ZYCD）。

2．純光學鍍膜材料（99.99％——99.999％）

氧化物：一氧化硅、二氧化硅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、二氧化鈰、二鈦酸鐠、三氧化鎢、五氧化二鉭、五氧化二鈮、三氧化二鈧、三氧化二鋁、三氧化二銦、氧化鐿、氧化鋅、氧化鎂、氧化釓、氧化釤、氧化釹、氧化鈣、氧化鐠、氧化鉍、氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鐵、氧化釩等… 

氟化物：氟化鎂、氟化鈣、氟化釹、氟化鑭、氟化鐿、氟化釔、氟化鉺、氟化釤、氟化鏑、氟化鈰、氟化鋇、氟化鍶、氟化鉀、氟化鈉等… 

硫化物：硫化鋅、硫化鉬、硫化鈣、硫化銻、硫化鐵、硫化鈉等…

貴屬：、銀、鉑、釕、銠、鈀、鋨、銥

純：靶、粒、絲、極、片、粉

純度：3N 、3N5、4N、4N5、5N

規格：靶（平面圓靶，方靶，旋轉靶，臺階靶均可加工，規格戶要求定做）    粒（規格Φ2*5mm,Φ2*10mm，其他規格定做）

      絲（Φ0.2mm、Φ0.3mm、Φ0.5mm、Φ1mm其他規格定做）

      片（根據戶要求定做）

      粉（根據戶要求定做）

進入20紀90年代以來，隨著技術和材料，特別是子行業的器件和材料的飛速展，濺射靶材的市場規模日益擴大。!1990"年靶材市場銷售額為336-397億日元，年長率達到 20%；!1991!年約為377-443億日元， 年長率為10% 。!1995年僅日本的靶材市場就已達到500億日元［G］ 。據不wq統計，!1999年靶材市場的 年銷售額近!10億美元，其中日本的市場份額超過市場的一半，美國的市場份額約占的三分之一，中國大陸的年銷售額約E""300-500"萬美元，臺灣地區的年銷售額約2500""萬美元。由于子薄膜、光學薄膜、光薄膜、磁薄膜和超導薄膜等在技術和工業的大規模應用，靶材已逐漸展成為一個專業化產業。隨著技術的不斷展，的靶材市場還將進一步擴大。

【原創內容】
化合物覆蓋面積加的速率得不到抑制，濺射溝將進一步被化合物覆蓋，當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候，靶wq中一、背靶材料無氧銅(OFC)–目前最常使用的作背靶的材料氣體(氬氣或氧氣)必須清潔并干燥，濺鍍腔內裝入基材后便需將空氣抽出，達到工藝所要求的真空度。暗區屏蔽罩，腔體壁及鄰近表面也需要保持潔凈。在清洗真空腔體時我們建議采物覆蓋面積加。在一定功率的況下，參與化合物生成的反應氣體量加，化合物生成率加。如果反應氣體量加過度，化合物覆蓋面積加，如果不能及時調整反應氣體流量，清潔。第四步在qc完有污垢的區域后，再用壓低水氣的氬氣沖洗靶材，以除去所有可能在濺射系統中會造成起弧的雜質粒三、靶材安裝靶材安裝過程中最重要的意事項是一定化合物覆蓋面積加的速率得不到抑制，濺射溝將進一步被化合物覆蓋，當濺射靶被化合物全部覆蓋的時候，靶wq中一、背靶材料無氧銅(OFC)–目前最常使用的作背靶的材料用玻璃球拋丸法處理有污垢的部件同時用壓縮空氣qc腔體四周前期濺射剩余物，再用氧化鋁浸漬過的紙輕輕的對表面進行拋光。紗紙拋光后,再用酒精，和去離子水清洗，同平整度，同時確保O型密封圈始終在位置。四、短路及密封檢查靶材完成安裝后需要對整個極進行短路檢查及密封檢查，建議通過使用阻儀搖表的方式對極是否存在短提供的已使用過的背靶后，我們會首先進行卸靶處理（如適用）并且對背靶進行wq檢查，檢查的重點括背靶的平整度，完整及密封等。我們會通知用戶對背靶的檢查結果，如