AR251全極高靈敏度低電壓霍爾開關
霍爾元件AR251是基于CMOS工藝設計和生產的霍爾IC，元件內部集成了霍爾效應片、電壓調節器、休眠喚醒控制電路、信號放大濾波電路、偏移補償電路、施密特觸發器，互補推挽輸出。它是一種雙磁極性磁感應開關，能夠感應到磁體的N極和S極的磁場強度，AR251通過周期性休眠和喚醒工作，達到降低功耗的作用。，喚醒期間檢測環境磁場強度，休眠狀態保持{zh1}輸出狀態。
霍爾磁性開關AR251有TSOT-23、TO-92S，超小超薄DFN封裝，適合用于越來越輕薄的便攜移動設備中，所有封裝都符合RoSH環保標準。
產品特性及優點
低功耗，IDD=5uA
等同敏感N和S極
互補推挽輸出
靈敏度溫漂小
高靈敏度
工作電壓1.65~6V
無鉛封裝：SOT-23/TSOT-23/TO-92/DFN
霍爾元件應用霍爾效應的半導體。
所謂霍爾效應，是指磁場作用于載流金屬導體、半導體中的載流子時，產生橫向電位差的物理現象。金屬的霍爾效應是1879年被美國物理學家霍爾發現的。當電流通過金屬箔片時，若在垂直于電流的方向施加磁場，則金屬箔片兩側面會出現橫向電位差。半導體中的霍爾效應比金屬箔片中更為明顯，而鐵磁金屬在特定溫度以下將呈現極強的霍爾效應。
由于通電導線周圍存在磁場，其大小和導線中的電流成正比，故可以利用霍爾元件測量出磁場，就可確定導線電流的大小。利用這一原理可以設計制成霍爾電流傳感器。其優點是不和被測電路發生電接觸，不影響被測電路，不消耗被測電源的功率，特別適合于大電流傳感。
若把霍爾元件置于電場強度為E、磁場強度為H的電磁場中，則在該元件中將產生電流I，元件上同時產生的霍爾電位差和電場強度E成正比，如果再測出該電磁場的磁場強度，則電磁場的功率密度瞬時值P可由P=EH確定。
利用這種方法可以構成霍爾功率傳感器。
如果把霍爾元件集成的開關按預定位置有規律地布置在物體上，當裝在運動物體上的永磁體經過它時，可以從測量電路上測得脈沖信號。根據脈沖信號列可以傳感出該運動物體的位移。若測出單位時間內發出的脈沖數，則可以確定其運動速度。
霍爾開關又分：單極性霍爾開關、雙極性霍爾開關、無極性霍爾開關（或全極性霍爾開關），這里的極性是指磁鐵的極性N極（北極）或S（南極）極，那么單極性霍爾開關是指開關的正反面會指定磁場某一極性靠近離開才會有開關效應。一般情況單極霍爾開關的的正面（字面）會指定磁場S極有效，霍爾開關的反面靠近N極有效 ，歡迎致電，為您提供指導選型，讓您開發無優！如果你是采購，請告知貴司所需求的型號，如果你是工程并正在選型，請告知貴司的要求。
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