達(dá)到晶體生長(zhǎng)的條件，子晶就從熔化物中慢慢被提起。生長(zhǎng)過(guò)程開(kāi)始于快速提拉子晶，以便使生長(zhǎng)過(guò)程初期中子晶內(nèi)的晶缺陷降到最少。然后降低拖拉速度，使晶體的直徑增大。當(dāng)達(dá)到所要求的直徑時(shí)，生長(zhǎng)條件就穩(wěn)定下來(lái)以保持該直徑。

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即使2014年的支出已呈大幅度增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，前道fab廠的支出仍需在2014年增長(zhǎng)至少49%，才能使得設(shè)備支出回到2007年的水平。此外，設(shè)備的支出計(jì)劃也取決于全球經(jīng)濟(jì)的持續(xù)復(fù)蘇情況。SEMI全球集成電路制造廠觀測(cè)報(bào)告(SEMIWorldFabForecast)預(yù)測(cè)，2011年前道fab的支出額將略遜于2007年，達(dá)到423億美元。

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接下來(lái)硅錠被刻出一個(gè)小豁口或一個(gè)小平面，以顯示晶向。一旦通過(guò)檢查，就將硅錠切割成晶圓片。由于硅很硬，要用金剛石鋸來(lái)準(zhǔn)確切割晶圓片，以得到比要求尺寸要厚一些的晶片。金剛石鋸也有助于減少對(duì)晶圓片的損傷、厚度不均、彎曲以及翹曲缺陷。

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