150度存儲器EEPROM

我司供應如下高溫產品：

150度175度高溫晶振，150度高溫單片機，150度175度200度以上高溫電容，155度175度200度以上高溫電阻，165度200度高溫電感，150度175度高溫存儲器，150度175度200度高溫AD，150度175度210度高溫運放，200度壓力傳感器，23芯高溫連接器，各種集成電路等。

地址總線測試:在確認數據總線工作正常之后，你應該接著測試地址總線。記住地址總線的問題將導致存儲器位置的重疊。有很多可能重疊的地址。然而，不必要測試每一個可能的組合。你應該努力在測試過程中分離每一個地址位。你只需要確認每一個地址線的管腳都可以被設置成0和 1，而不影響其他的管腳。

150度EEPROM存儲器

我司供應如下高溫產品：

150度175度高溫晶振，150度高溫單片機，150度175度200度以上高溫電容，155度175度200度以上高溫電阻，165度200度高溫電感，150度175度高溫存儲器，150度175度200度高溫AD，150度175度210度高溫運放，200度壓力傳感器，23芯高溫連接器，各種集成電路等。

雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1)第1雙倍數據速率存儲器采用薄型小尺寸封裝 (TSOP) 或球形網格陣列 (BGA)封裝。雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 提供高 400 兆赫(MHz)的傳輸速率，存儲容量從 256 兆比特到 1 千兆比特。雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 存儲器需 2.5V的電壓及4,8,16 或 32比特的總線帶寬。與雙倍數據速率 2 存儲器 (DDR2) 的區別： 雙倍數據速率1 存儲器 (DDR1) 存取和等待時間較短。

150度25LC系列存儲器

我司供應如下高溫產品：

150度175度高溫晶振，150度高溫單片機，150度175度200度以上高溫電容，155度175度200度以上高溫電阻，165度200度高溫電感，150度175度高溫存儲器，150度175度200度高溫AD，150度175度210度高溫運放，200度壓力傳感器，23芯高溫連接器，各種集成電路等。

移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM)：存儲組件運行和待機電流非常低而容量卻很大，。移動同步動態存儲器 (Mobile SDRAM) 可與傳統的同步動態存儲器 (SDRAM) 兼容，非常適用于 移動通訊設備。工作電壓：3.3伏，2.5伏甚至低至與移動雙倍數據速率 (mobile DDR) 相同的1.8V同步動態存儲器使用較為節省空間的球形網格陣列 (BGA) 進行封裝，接觸區域 在其下面。