2020-2026年中國(guó)氮化***(gan)行業(yè)分析與發(fā)展前景分析報(bào)告（編號(hào)：1427947）
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2020-2026年中國(guó)氮化***(gan)行業(yè)分析與發(fā)展前景分析報(bào)告
正文目錄：
第一章氮化***相關(guān)概述
11氮化***基本介紹
111氮化***簡(jiǎn)介
112氮化***形成階段
113氮化***性能優(yōu)勢(shì)
114氮化***半導(dǎo)體作用
12氮化***材料的特性
121結(jié)構(gòu)特性
122化學(xué)特性
123光學(xué)特性
124電學(xué)性質(zhì)
13氮化***的制備方法
131金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（mocvd）技術(shù)
132分子束外延（mbe）技術(shù)
133氫化物氣相外延（hvpe）技術(shù)
134懸空外延技術(shù)（pendeo-epitaxy）
第2章2015-2017年半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展全 面解析
21半導(dǎo)體材料相關(guān)概述
211***代半導(dǎo)體材料
212第二代半導(dǎo)體材料
213第三代半導(dǎo)體材料
222015-2020年全球半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展綜述
221產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
222市場(chǎng)規(guī)模分析
223市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局
224市場(chǎng)研發(fā)突破
232015-2020年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)運(yùn)行狀況
231行業(yè)銷售規(guī)模
232市場(chǎng)格局分析
233市場(chǎng)研發(fā)狀況
234產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)
235行業(yè)成果分析
24半導(dǎo)體材料行業(yè)存在的問(wèn)題及發(fā)展對(duì)策
241行業(yè)發(fā)展滯后
242產(chǎn)品同質(zhì)化***
243供應(yīng)鏈不完善
244產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新不足
245行業(yè)發(fā)展建議
25半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展前景展望
251行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
252行業(yè)需求分析
253行業(yè)前景分析
第3章2015-2017年氮化***產(chǎn)業(yè)發(fā)展深度分析
31氮化***產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜述
311產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
312民用市場(chǎng)起步
313國(guó)產(chǎn)化將加速
314成本競(jìng)爭(zhēng)分析
315gan應(yīng)用項(xiàng)目
322015-2020年氮化***市場(chǎng)發(fā)展動(dòng)況
321射頻氮化***市場(chǎng)快速增長(zhǎng)
322gan器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸
323gan市場(chǎng)增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)因素
33氮化***材料專利分析
331氮化***專利時(shí)間及區(qū)域分布
332氮化***專利技術(shù)布局
333氮化***重點(diǎn)研發(fā)機(jī)構(gòu)
334氮化***高價(jià)值專利分析
335國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力提升建議
第4章2015-2017年氮化***器件主要類型發(fā)展分析
41發(fā)光二極管（led）
411發(fā)光二極管（led）發(fā)展概述
412發(fā)光二極管（led）市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r
4132015-2020年中國(guó)發(fā)光二極管進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
414氮化***基藍(lán)綠光led發(fā)展歷程
415氮化***在led領(lǐng)域的技術(shù)突破
42場(chǎng)效應(yīng)晶體管（fet）
421場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)展概述
422gan
423氮化***fet研究進(jìn)展
43激光二極管（ld）
431激光二極管發(fā)展概述
432激光二極管背景技術(shù)
4332015-2020年中國(guó)激光器進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
434gan基激光器研究現(xiàn)狀
435gan基激光器材料分析
436gan基激光器的應(yīng)用
44二極管（diodes）
441二極管（diodes）發(fā)展概述
4422015-2020年中國(guó)二極管進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
443氮化***二極管研發(fā)動(dòng)態(tài)
444垂直gan二極管技術(shù)突破
45太陽(yáng)能電池（solarcells）
4512015-2020年中國(guó)太陽(yáng)能電池進(jìn)出口數(shù)據(jù)分析
452ingan/gan量子阱結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池發(fā)展概述
453ingan/gan量子阱太陽(yáng)能電池效率影響因素
454ingan/gan量子阱太陽(yáng)能電池效率提升工藝
455ingan/gan量子阱結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池發(fā)展展望
第5章2015-2017年氮化***應(yīng)用領(lǐng)域分析
51氮化***在電力電子產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
511發(fā)展電力電子器件產(chǎn)業(yè)的重要意義
512電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r
513gan應(yīng)用在電力電子領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)
514gan電力電子器件研究進(jìn)展
515gan組件商品化帶來(lái)的機(jī)遇
516電力電子器件市場(chǎng)未來(lái)發(fā)展方向
517“***”中國(guó)電力電子發(fā)展重點(diǎn)
518“***”中國(guó)電力電子發(fā)展展望
52氮化***在新能源產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
521新能源行業(yè)發(fā)展形勢(shì)
522新能源發(fā)電裝機(jī)規(guī)模
523gan大功率器件需求潛力
53氮化***在智能電網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
531發(fā)展智能電網(wǎng)的重要意義
532智能電力設(shè)備發(fā)展分析
533智能電力設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)
534gan大功率器件需求潛力
54氮化***在通訊設(shè)備產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
541通訊設(shè)備市場(chǎng)需求分析
542通訊設(shè)備制造業(yè)運(yùn)行分析
543gan大功率器件需求潛力
55氮化***其他領(lǐng)域應(yīng)用分析
551gan在4c產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用
552gan在無(wú)線***領(lǐng)域應(yīng)用
553gan對(duì)自動(dòng)駕駛汽車的影響
554gan在紫外探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用
555gan在紅外探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用
556gan在壓力傳感器中的應(yīng)用
557gan在生物化學(xué)探測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用
第6章2015-2017年國(guó)際氮化***產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
61美高森美（microsemi）
611企業(yè)發(fā)展概況
612企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
613企業(yè)主要微波射頻產(chǎn)品
62qorvo，inc
621企業(yè)發(fā)展概況
622企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
623主要氮化***產(chǎn)品及應(yīng)用
63macomtechnologysolutionsholdings，inc
631企業(yè)發(fā)展概況
632企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
633企業(yè)產(chǎn)品發(fā)布動(dòng)態(tài)
64雷神（raytheoncompany）
641企業(yè)發(fā)展概況
642企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
643企業(yè)gan技術(shù)研究進(jìn)展
65恩智浦（nxpsemiconductorsnv）
651企業(yè)發(fā)展概況
652企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
653企業(yè)gan技術(shù)研究進(jìn)展
66英飛凌（infineontechnologiesag）
661企業(yè)發(fā)展概況
662企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
663企業(yè)業(yè)務(wù)部門(mén)布局
第7章2015-2017年中國(guó)氮化***產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析
71蘇州納維科技有限公司
711企業(yè)發(fā)展概況
712企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
（一）企業(yè)償債能力分析
（二）企業(yè)運(yùn)營(yíng)能力分析
（三）企業(yè)盈利能力分析
713企業(yè)主營(yíng)業(yè)務(wù)
72蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司
721企業(yè)發(fā)展概況
（一）企業(yè)償債能力分析
（二）企業(yè)運(yùn)營(yíng)能力分析
（三）企業(yè)盈利能力分析
722企業(yè)制造能力
723企業(yè)項(xiàng)目進(jìn)展
73東莞市中***半導(dǎo)體科技有限公司
731企業(yè)發(fā)展概況
（一）企業(yè)償債能力分析
（二）企業(yè)運(yùn)營(yíng)能力分析
（三）企業(yè)盈利能力分析
732企業(yè)人才隊(duì)伍
733企業(yè)***和榮譽(yù)
734主營(yíng)業(yè)務(wù)與專利技術(shù)
735企業(yè)發(fā)展與規(guī)劃
74三安光電股份有限公司
741企業(yè)發(fā)展概況
742企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
（一）企業(yè)償債能力分析
（二）企業(yè)運(yùn)營(yíng)能力分析
（三）企業(yè)盈利能力分析
743氮化***半導(dǎo)體業(yè)務(wù)
744未來(lái)前景展望
75廈門(mén)乾照光電股份有限公司
751企業(yè)發(fā)展概況
752企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況
（一）企業(yè)償債能力分析
（二）企業(yè)運(yùn)營(yíng)能力分析
（三）企業(yè)盈利能力分析
753ganled芯片業(yè)務(wù)
754未來(lái)前景展望
第8章2018-2024年氮化***產(chǎn)業(yè)投資分析及前景預(yù)測(cè)
81氮化***產(chǎn)業(yè)投資分析（by lii）
811產(chǎn)業(yè)投資機(jī)會(huì)
812企業(yè)投資動(dòng)態(tài)
82氮化***產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景
821市場(chǎng)發(fā)展機(jī)遇
822未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)空間
823市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿?/span>
832020-2026年氮化***市場(chǎng)預(yù)測(cè)分析
831影響因素分析
832市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)（by lii）
部分圖表目錄：
圖表 1gan纖鋅礦結(jié)構(gòu)圖
圖表 2水平式hvpe
圖表 3豎直式hvpe
圖表 42008-2020年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布（單位：%）
圖表 52015-2020年q2世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分季度營(yíng)收規(guī)模及增長(zhǎng)
圖表 62014-2020年中國(guó)半導(dǎo)體消費(fèi)占全球比重（單位：%）
圖表 72014-2020年中國(guó)&全球半導(dǎo)體增速對(duì)比（單位：%）
圖表 8半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展受需求推動(dòng)
圖表 92020-2026年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額預(yù)測(cè)（單位：億美元，%）
圖表 10半導(dǎo)體產(chǎn)能全 面轉(zhuǎn)移，材料需求更趨核心與高技術(shù)
圖表 11國(guó)家集成電路基金投資的部分項(xiàng)目
圖表 12氮化***（gan）主要應(yīng)用的預(yù)期潛在市場(chǎng)
圖表 13氮化***材料相關(guān)專利年度變化趨勢(shì)
圖表 14gan專利器件布局情況
圖表 15氮化***領(lǐng)域***5專利權(quán)人
圖表 16日本主要機(jī)構(gòu)合作情況
圖表 17中國(guó)gan專利強(qiáng)度分布情況
圖表 18led產(chǎn)業(yè)鏈
圖表 192006-2020年中國(guó)led行業(yè)各環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)規(guī)模（億元）
圖表 202020年中國(guó)半導(dǎo)體照明應(yīng)用領(lǐng)域分布
圖表 21全球led燈泡價(jià)格變動(dòng)趨勢(shì)
圖表 222020年我國(guó)led產(chǎn)品進(jìn)出口
圖表 23ganfetsoa曲線示例，此時(shí)rds-on=毫歐
圖表 24電感硬開(kāi)關(guān)測(cè)試電路
圖表 25第二代及***氮化***器件的阻抗的比較。
圖表 26第二代及***氮化***器件的硬開(kāi)關(guān)fom并與硅功率mosfet的比較。
圖表 27氮化***器件的散熱效率。
圖表 28氮化***器件可以提高dc/dc轉(zhuǎn)換效率。
圖表 29eganfet在更高壓的dc/dc轉(zhuǎn)換器可以提***率。
圖表 30工作在4mhz頻率的單片式半橋ic比分立式器件的性能更為優(yōu)越。
更多圖表 見(jiàn)正文……
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