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- stm8s207cbt6.,_回收意法半導(dǎo)體:從系統(tǒng)存儲器導(dǎo)入,從sram導(dǎo)入。boot導(dǎo)入程序位于系統(tǒng)存儲器,用于通過usart1重新對flash存儲器編程。電壓范圍為2.0v-3.6v,外部電源通過vdd引腳提供,用于i/o和內(nèi)部調(diào)壓器。vssa和vdda,電壓范圍為2.0-3.6v,外部模擬電壓輸入,用于adc,復(fù)位模塊,rc和pll,在vdd范圍之內(nèi)(adc被在2.4v),vssa和vdda 相應(yīng)連接到vss和vdd。vbat,電壓范圍為1.8-3.6v,當(dāng)vdd無效時為rtc,外部32khz晶振和備份寄存器供電(通過電源切換實現(xiàn))。電源管理:設(shè)備有一個完整的上電復(fù)位(por)和掉電復(fù)位(pdr)電路。這條電路一直 ,用于從2v啟動或者掉到2v的時候進(jìn)行一些的操作。
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整個mcu市場增長在6 -8 之間,mcu的增長達(dá)到了50 ,這也直接驅(qū)動了stmcu在的,從2007年 十名上升到2015年的 三名。他透露,mcu在的業(yè)務(wù)70 都是來自于32位mcu。“2010年以前,我們有8位微控制器,16位微控制器和32位微控制器,但現(xiàn)在32位微控制器是我們的一個產(chǎn)品。buffa說,32位微控制器的內(nèi)核占裸片的面積只有5 -7 ,而且價格得到 低,兼容性非常高。目前有兩個產(chǎn)品系列,即stm32f和stm32l,包括mmmm7。值得一提的是,stm32自2007年起通過工業(yè)質(zhì)量認(rèn)證,年ppm缺陷率呈現(xiàn)不斷降低趨勢。
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v- nor和nand是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。
在1984年,東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器(此處簡稱閃存)的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同,閃存的特點是nvm,其記錄速度也非常快。
intel是上個生產(chǎn)閃存并將其投放市場的公司。1988年,公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小,并被內(nèi)嵌于一個錄音機里,intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結(jié)合eprom和eeprom兩項技術(shù),并擁有一個sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制,并被認(rèn)為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫周期比nor閃存短90 ,它的保存與刪除處理的速度也相對較快。nand的存儲單元只有nor的一半,在更小的存儲空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現(xiàn),它常常被應(yīng)用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲卡上。
nand 閃存的存儲單元采用串行結(jié)構(gòu),存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進(jìn)行(一頁包含若干字節(jié),若干頁則組成儲存塊, nand 的存儲塊大小為 8 到 32kb ),這種結(jié)構(gòu)大的點在于容量可以做得很大,超過 512mb 容量的 nand 產(chǎn)品相當(dāng)普遍, nand 閃存的成本較低,有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點在于讀速度較慢,它的 i/o 端口只有 8 個,比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個 i/o 端口只能以信號輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送,速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu),內(nèi)部不存在專門的存儲控制器,一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修,性較 nor 閃存要差。

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