半導體分類
晶體二極管
晶體二極管的基本結構是由一塊 P型
半導體和一塊N型半導體結合在一起構成一個 PN結。在PN結的交界面處，由于P型半導體中的空穴和N型半導體中的電子要相互向對方擴散而構成一個具有空間電荷的偶極層。這偶極層阻撓了空穴和電子的持續擴散而使PN結到達平衡狀態。當PN結的P端（P型半導體那邊）接電源的正極而另一端接負極時，空穴和電子都向偶極層活動而使偶極層變薄，電流很快上升。如果把電源的方向反過來接，則空穴和電子都違背偶極層活動而使偶極層變厚，同時電流被約束在一個很小的飽滿值內(稱反向飽滿電流)。因此，PN結具有單向導電性。此外，PN結的偶極層還起一個電容的作用，這電容跟著外加電壓的改動而改動。在偶極層內部電場很強。當外加反向電壓到達必定閾值時，偶極層內部會發作雪崩擊穿而使電流突然添加幾個數量級。利用PN結的這些特性在各種使用領域內制成的二極管有：整流二極管、檢波二極管、變頻二極管、變容二極管、開關二極管、穩壓二極管（曾訥二極管）、崩越二極管（碰撞雪崩渡越二極管）和俘越二極管（抓獲等離子體雪崩渡越時間二極管）等。此外，還有利用PN結特別效應的隧道二極管，以及沒有PN結的肖脫基二極管和耿氏二極管等。
雙極型晶體管
它是由兩個PN結構成，其間一個PN結稱為發射結，另一個稱為集電結。兩個結之間的一薄層半導體材料稱為基區。接在發射結一端和集電結一端的兩個電極分別稱為發射極和集電極。接在基區上的電極稱為基極。在使用時，發射結處于正向偏置，集電極處于反向偏置。經過發射結的電流使很多的少量載流子注入到基區里，這些少量載流子靠擴散遷移到集電結而構成集電極電流，只有極少量的少量載流子在基區內復合而構成基極電流。集電極電流與基極電流之比稱為共發射極電流擴大系數。在共發射極電路中，細小的基極電流改動能夠操控很大的集電極電流改動，這便是雙極型晶體管的電流擴大效應。雙極型晶體管可分為NPN型和PNP型兩類。
場效應晶體管
它依托一塊薄層
半導體受橫向電場影響而改動其電阻（簡稱場效應），使具有擴大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。操控橫向電場的電極稱為柵。
根據柵的結構,場效應晶體管能夠分為三種：
①結型場效應管(用PN結構成柵極)；
②MOS場效應管（用金屬-氧化物－半導體構成柵極,見金屬－絕緣體－半導體體系）；
③MES場效應管（用金屬與半導體接觸構成柵極）;其間MOS場效應管使用最廣泛。尤其在大規模集成電路的發展中,MOS大規模集成電路具有特別的優越性。MES場效應管一般用在GaAs微波晶體管上。
在MOS器材的基礎上,又發展出一種電荷耦合器材 (CCD)，它是以半導體表面鄰近存儲的電荷作為信息，操控表面鄰近的勢阱使電荷在表面鄰近向某一方向搬運。這種器材一般能夠用作延遲線和存儲器等；配上光電二極管列陣，可用作攝像管。
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