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GBL406/GBL408/GBL410_ASEMIl氮化鎵快充橋堆-L
型號：GBL406
品牌：ASEMI
封裝：GBL-4
特性：整流扁橋
電性參數：4A 600V
芯片材質：GPP
正向電流(Io)：4A
芯片個數：4
正向電壓(VF)：1.10V
芯片尺寸：50
浪涌電流Ifsm：60A
漏電流(Ir)：5uA
工作溫度：-55~+150℃
恢復時間(Trr)：500ns
引線數量：4
氮化鎵相比傳統充電器，它有哪些優勢？
1、充電效率高。氮化鎵的帶隙比硅高得多，這意味著它可以隨時間傳導更高的電壓。帶隙較大也意味著電流可以比硅更快地流過GaN制成的芯片，從而可以更快地進行處理，充電更快。
2、散熱快。氮化鎵與前兩代的半導體相比，禁帶寬度大、導熱系數更高。而且可在200以上的高溫下工作，能承載更高的能量密度，可靠性高，能夠將過度充電的可能性最小化。