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GBL806/GBL808/GBL810_氮化鎵快充整流橋-L
型號：GBL810
品牌：ASEMI
封裝：GBL-4
特性：內置GPP芯片
正向電流：6A
反向耐壓：50V-1000V
芯片個數：4
漏電流：>10ua
工作溫度：-50℃~150℃
包裝方式：500/盒;5K/箱
適用于：電源、充電器、適配器、LED燈飾、大小家電、民用及工業設備等產品中使用
ASEMI品牌GBL606，系列產品GBL608、GBL610，供應GBL604，波峰GPP芯片，可靠穩定性高，產品離散性高度一致。 本產品原裝zp，質量保證高穩定性和可靠性，歡迎咨詢 取樣測試。
相比傳統充電器，它有哪些優勢？
充電效率高。氮化鎵的帶隙比硅高得多，這意味著它可以隨時間傳導更高的電壓。帶隙較大也意味著電流可以比硅更快地流過GaN制成的芯片，從而可以更快地進行處理，充電更快。
散熱快。氮化鎵與前兩代的半導體相比，禁帶寬度大、導熱系數更高。而且可在200以上的高溫下工作，能承載更高的能量密度，可靠性高，能夠將過度充電的可能性最小化。