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AIGW40N65H5英飛凌車規(guī)MOS管\原裝現(xiàn)貨\ASEMI代理
型號：AIGW40N65H5
品牌：ASEMI
封裝：TO-247
漏源電流：40A
漏源擊穿電壓：650V
RDS（ON）Max：0.24Ω
引腳數(shù)量：3
溝道類型：N溝道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏電流：
特性：車規(guī)級MOS管
恢復(fù)時間：25ns
芯片材質(zhì)：
封裝尺寸：如圖
特性：高壓MOS管
工作結(jié)溫：-40℃~175℃
AIGW40N65H5車規(guī)級場效應(yīng)管
AIGW40N65H5的電性參數(shù)：漏源電流40A；漏源擊穿電壓650V
強元芯電子原廠渠道代理各種車規(guī)級MOS、IGBT、FRD系列：
Infineon/英飛凌：IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。
ON/安森美：FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。
ST意法：STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。
IXYS/艾賽斯：DS145-16A等。