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AO3415-ASEMI中低壓P溝道MOS管AO3415
型號(hào):AO3415
品牌:ASEMI
封裝:SOT-23
漏源電流:-4.0A
漏源擊穿電壓:-20V
批號(hào):最新
RDS(ON)Max:0.06Ω
引腳數(shù)量:3
溝道類(lèi)型:P溝道MOS管
芯片尺寸:MIL
漏電流:
恢復(fù)時(shí)間:5ns
芯片材質(zhì):
封裝尺寸:如圖
特性:中低壓MOS管、P溝道MOS管
工作結(jié)溫:-55℃~150℃
AO3415場(chǎng)效應(yīng)管
AO3415的電性參數(shù):漏源電流-4.0A;漏源擊穿電壓-20V
特征:
低固有電容。
出色的開(kāi)關(guān)特性。
擴(kuò)展安全操作區(qū)域。
無(wú)與倫比的柵極電荷:Qg=75 nC(典型值)。
BVDSS=-20V,Id=-4.0A
RDS(開(kāi)):0.06? (值)@VG=-2.5V