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AO3415-ASEMI中低壓P溝道MOS管AO3415

作者:深圳市強(qiáng)元芯電子有限公司 來(lái)源:asemi888 發(fā)布時(shí)間:2024-11-22 瀏覽:3
AO3415-ASEMI中低壓P溝道MOS管AO3415

編輯:ll

AO3415-ASEMI中低壓P溝道MOSAO3415

型號(hào):AO3415

品牌:ASEMI

封裝:SOT-23

漏源電流:-4.0A

漏源擊穿電壓:-20V

批號(hào):最新

RDSONMax0.06Ω

引腳數(shù)量:3

溝道類(lèi)型:P溝道MOS

芯片尺寸:MIL

漏電流:

恢復(fù)時(shí)間:5ns

芯片材質(zhì):

封裝尺寸:如圖

特性:中低壓MOS管、P溝道MOS

工作結(jié)溫-55℃~150

AO3415場(chǎng)效應(yīng)管

AO3415的電性參數(shù):漏源電流-4.0A;漏源擊穿電壓-20V

特征:

低固有電容。

出色的開(kāi)關(guān)特性。

擴(kuò)展安全操作區(qū)域。

無(wú)與倫比的柵極電荷:Qg=75 nC(典型值)。

BVDSS=-20V,Id=-4.0A

RDS(開(kāi)):0.06? (值)@VG=-2.5V

鄭重聲明:資訊 【AO3415-ASEMI中低壓P溝道MOS管AO3415】由 深圳市強(qiáng)元芯電子有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫(kù)www.zgmflm.cn)證實(shí),請(qǐng)讀者僅作參考,并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請(qǐng)你提供相關(guān)證明及申請(qǐng)并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會(huì)盡快處理。
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