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半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動(dòng)電流

作者:光粒網(wǎng) 來源:fddiodelaser 發(fā)布時(shí)間:2012-11-01 瀏覽:391

半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動(dòng)電流
  一般情況下,半導(dǎo)體激光器的發(fā)光波長隨溫度變化為0.2-0.3nm/℃,光譜寬度隨之增加,影響顏色鮮艷度。另外,當(dāng)正向電流流經(jīng)pn結(jié),發(fā)熱性損耗使結(jié)區(qū)產(chǎn)生溫升,在室溫附近,溫度每升高1℃,半導(dǎo)體激光器的發(fā)光強(qiáng)度會(huì)相應(yīng)地減少1%左右,封裝散熱;時(shí)保持色純度與發(fā)光強(qiáng)度非常重要,以往多采用減少其驅(qū)動(dòng)電流的辦法,降低結(jié)溫,多數(shù)半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動(dòng)電流限制在20mA左右。歡迎光臨公司官網(wǎng)http://.  但是,半導(dǎo)體激光器的光輸出會(huì)隨電流的增大而增加,目前,很多功率型半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動(dòng)電流可以達(dá)到70mA、100mA甚至1A級(jí),需要改進(jìn)封裝結(jié)構(gòu),全新的半導(dǎo)體激光器封裝設(shè)計(jì)理念和低熱阻封裝結(jié)構(gòu)及技術(shù),改善熱特性。例如,采用大面積芯片倒裝結(jié)構(gòu),選用導(dǎo)熱性能好的銀膠,增大金屬支架的表面積,焊料凸點(diǎn)的硅載體直接裝在熱沉上等方法。此外,在應(yīng)用設(shè)計(jì)中,PCB線路板等的熱設(shè)計(jì)、導(dǎo)熱性能也十分重要。   
  進(jìn)入21世紀(jì)后,半導(dǎo)體激光器的高效化、超高亮度化、全色化不斷發(fā)展創(chuàng)新,紅、橙半導(dǎo)體激光器光效已達(dá)到100Im/W,綠半導(dǎo)體激光器為501m/W,單只半導(dǎo)體激光器的光通量也達(dá)到數(shù)十Im。半導(dǎo)體激光器芯片和封裝不再沿龔傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)理念與制造生產(chǎn)模式,在增加芯片的光輸出方面,研發(fā)不僅jx于改變材料內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量,晶格缺陷和位錯(cuò)來提高內(nèi)部效率,同時(shí),如何改善管芯及封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu),增強(qiáng)半導(dǎo)體激光器內(nèi)部產(chǎn)生光子出射的幾率,提高光效,解決散熱,取光和熱沉優(yōu)化設(shè)計(jì),改進(jìn)光學(xué)性能,加速表面貼裝化SMD進(jìn)程更是產(chǎn)業(yè)界研發(fā)的主流方向。

 

鄭重聲明:資訊 【半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動(dòng)電流】由 光粒網(wǎng) 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫www.zgmflm.cn)證實(shí),請(qǐng)讀者僅作參考,并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請(qǐng)你提供相關(guān)證明及申請(qǐng)并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會(huì)盡快處理。
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