在我們的周圍環境甚至我們的身上都會帶有不同程度的靜電，當靜電積累到一定程度時就會發生靜電釋放。ESD 過程是處于不同電勢的物體之間的靜電電荷轉移過程，其強烈程度受電量大小及物體間距的影響。自然界的雷電現象是強對流氣候下典型的ESD現象，瞬間所釋放的巨大能量，能將雷電流所經過的空氣電離，使空氣變成阻值很低的導電通道，形成超強的電流和極高的溫度，破壞力極大。

　　日常生活中的ESD現象在頻繁地發生著，雖然沒有雷電那么強烈，也會有火花式放電，不僅伴有“噼叭”聲響，還會閃閃發光。研究表明，當電壓大于8000 V時可以看到ESD發出的光亮，當電壓大于6000 V時可以聽到ESD的放電聲；當電壓大于3000V時可以感覺到有ESD發生；而當靜電電壓低于3000V時，也會發生ESD過程，只是我們沒有感覺到而已。也就是說，很多ESD過程是在悄無聲息地進行的。

　　ESD是電腦的無形殺手。筆者的維修生涯中經歷過許多電腦故障，根本查不出是什么原因，當時感到莫名其妙，現在想來應該與ESD有關。當靜電電壓較低時，ESD產生的電氣噪聲會對邏輯電路形成干擾，引發IC芯片內邏輯電路死鎖（Latch Up ），導致數據傳輸或運算出錯，也可能對芯片形成輕微的物理損傷而提前老化或潛在失效；當靜電電壓超過250V時，ESD就能擊穿電腦芯片了。

　　ESD作用于電腦芯片時，由于放電回路的電阻通常都很小，所以電荷釋放的瞬間放電電流會很大。例如將帶靜電的電纜插到電腦的接口上時，放電回路的電阻幾乎為零，形成高達幾十安培的放電電流，如此大的尖峰電流一旦從芯片的某個引腳流入，足以將芯片的局部熔化，燒斷芯片內的晶體管和金屬連線，使芯片產生{yj}性的功能喪失，或者破壞芯片內的鈍化層，使芯片性能降低。芯片損壞后，我們從外觀上絲毫看不出有什么變化，但利用FESEM 儀器還是可以看清電路熔斷的情形。

如今電腦里的CPU芯片、存儲器芯片和主板上的南橋、北橋等超大規模集 成電路芯片廣泛采用CMOS（復合金屬氧化物半導體）材料，CMOS器件具有集成度高、成本低、速度快、能耗低的優點，因此使用范圍很廣。然而，CMOS器件的一個致命的弱點是輸入阻抗很大，很容易被ESD擊穿。隨著芯片工藝的進步，工作速度加快了，但芯片也變得脆弱了。集成度的提高使得器件尺寸越來越小，器件之間的連線寬度越來越窄，鈍化層越來越薄，這些因素都會時芯片對靜電放電的敏感性也越大。一個不太高的電壓就能將晶體管擊穿，一個微小的ESD電流就能將連線熔斷。

　　ESD已成為當今電腦的頭號殺手。Intel的研究表明，在引起電腦故障的諸多因素中，ESD是{zd0}的隱患，將近一半的電腦故障都是由EOS／ESD引起的（如圖3）。EOS表示過電應力（Electrical Over Stress）。

ESD對電腦的破壞作用具有隱蔽性、潛在性、隨機性和復雜性的特點，當我們在接觸電腦板卡和芯片時，不管是電腦上有靜電，還是我們身體上有靜電，ESD都有可能發生在接觸的瞬間，可謂防不勝防。