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硅片是一種硬度很高的物質，硅片材料看起來像石頭一樣，硅棒拉晶鑄錠完了就是多晶硅了，多晶硅經過區熔或直拉再經過清洗干凈然后用爐子加熱融化形成一個大塊的單晶硅棒，然后再用特定機器來進行滾、切、磨、拋細切成一片一片的硅片。簡單理解硅片是一種硅材料通過加工切成一片一片的。硅片隨著微電子技術從航空航天、工農業和國防，現在也慢慢進入每一個家庭。小小硅片的巨大能力是我們無法想象的。

而回收硅片就是硅片再利用，是從廢物中分離出來的物質，用機械加工或物理化工方式成為再利用的制品。如廢玻璃、廢金屬、廢電池片、廢舊硅片、碎硅片、單多晶硅片、半導體硅片,電池硅片，稀有金屬的回收再利用指以將再次生產的方式。（東莞硅片硅料回收企業發布）

單晶硅片的生長方法

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硅單晶的生長方法，有直拉法、區域熔化法、布里奇曼法、枝蔓生長法和氣相沉積生長法等。目前半導體材料工業上廣泛應用攀，趕區熔法（即FZ法）兩種。

(1)直拉單晶硅的生長

19 17年，喬赫拉斯基為了確定金屬的結晶生長速度，將奈欽{zx0}用來從熔體中生長鄰羥基甲酸苯酯單晶的方法改進并引用到金屬方面，后來又經過許多人的不斷改進，才呈現今天的面貌，因此，后人為了紀念喬堪薩斯基，就取名為“喬赫拉斯基生長法”，簡稱“直拉法”用英文字母“CZ”來表示。 

叉子母"l。，<）  拉法通過直拉單晶硅爐裝置，采用電阻式，將盛放在高純石英坩堝內的多晶硅原料f塊狀，高溫瘁化，使溶液溫度保持在比回收硅片硅熔點稍高一點的狀態，把安裝在拉晶軸下端的籽晶緩慢插入溶液，待籽晶與溶液wq接觸吻合后，降低熔體溫度，然后在在籽晶與石英坩堝作相反方向旋轉的同時，慢慢地向上提拉籽晶，實現單晶硅的直接拉制的生長過程，所以，簡稱為直拉法即CZ法d

(2)區熔單晶硅的生長

將事先準備好的棒狀多晶硅料，按工藝技術要求裝入區熔單晶爐內，同時，在爐內的籽晶夾頭里安裝籽晶，關好爐門抽真空至一定程度后，適時向爐膛內通人高純氬氣，，移動加媽熬線圈，致多晶硅料局部熔化并形成熔區，使熔區從多晶硅棒的一端移動到另一端，熔早區在“籽晶種子”的引導下，生長成單晶，就叫區熔單晶硅即FZ單晶硅。圖0-6為區熔法單晶硅生長示意蓋。（東莞硅片硅料回收企業發布）