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硅片是一種硬度很高的物質(zhì)，硅片材料看起來像石頭一樣，硅棒拉晶鑄錠完了就是多晶硅了，多晶硅經(jīng)過區(qū)熔或直拉再經(jīng)過清洗干凈然后用爐子加熱融化形成一個大塊的單晶硅棒，然后再用特定機(jī)器來進(jìn)行滾、切、磨、拋細(xì)切成一片一片的硅片。簡單理解硅片是一種硅材料通過加工切成一片一片的。硅片隨著微電子技術(shù)從航空航天、工農(nóng)業(yè)和國防，現(xiàn)在也慢慢進(jìn)入每一個家庭。小小硅片的巨大能力是我們無法想象的。

而回收硅片就是硅片再利用，是從廢物中分離出來的物質(zhì)，用機(jī)械加工或物理化工方式成為再利用的制品。如廢玻璃、廢金屬、廢電池片、廢舊硅片、碎硅片、單多晶硅片、半導(dǎo)體硅片,電池硅片，稀有金屬的回收再利用指以將再次生產(chǎn)的方式。（東莞硅片硅料回收企業(yè)發(fā)布）

單晶硅片的生長方法

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硅單晶的生長方法，有直拉法、區(qū)域熔化法、布里奇曼法、枝蔓生長法和氣相沉積生長法等。目前半導(dǎo)體材料工業(yè)上廣泛應(yīng)用攀，趕區(qū)熔法（即FZ法）兩種。

(1)直拉單晶硅的生長

19 17年，喬赫拉斯基為了確定金屬的結(jié)晶生長速度，將奈欽{zx0}用來從熔體中生長鄰羥基甲酸苯酯單晶的方法改進(jìn)并引用到金屬方面，后來又經(jīng)過許多人的不斷改進(jìn)，才呈現(xiàn)今天的面貌，因此，后人為了紀(jì)念喬堪薩斯基，就取名為“喬赫拉斯基生長法”，簡稱“直拉法”用英文字母“CZ”來表示。 

叉子母"l。，<）  拉法通過直拉單晶硅爐裝置，采用電阻式，將盛放在高純石英坩堝內(nèi)的多晶硅原料f塊狀，高溫瘁化，使溶液溫度保持在比回收硅片硅熔點(diǎn)稍高一點(diǎn)的狀態(tài)，把安裝在拉晶軸下端的籽晶緩慢插入溶液，待籽晶與溶液wq接觸吻合后，降低熔體溫度，然后在在籽晶與石英坩堝作相反方向旋轉(zhuǎn)的同時，慢慢地向上提拉籽晶，實(shí)現(xiàn)單晶硅的直接拉制的生長過程，所以，簡稱為直拉法即CZ法d

(2)區(qū)熔單晶硅的生長

將事先準(zhǔn)備好的棒狀多晶硅料，按工藝技術(shù)要求裝入?yún)^(qū)熔單晶爐內(nèi)，同時，在爐內(nèi)的籽晶夾頭里安裝籽晶，關(guān)好爐門抽真空至一定程度后，適時向爐膛內(nèi)通人高純氬氣，，移動加媽熬線圈，致多晶硅料局部熔化并形成熔區(qū)，使熔區(qū)從多晶硅棒的一端移動到另一端，熔早區(qū)在“籽晶種子”的引導(dǎo)下，生長成單晶，就叫區(qū)熔單晶硅即FZ單晶硅。圖0-6為區(qū)熔法單晶硅生長示意蓋。（東莞硅片硅料回收企業(yè)發(fā)布）