深圳聚鼎豐電子有限公司是一家從事研發(fā)生產(chǎn)和銷(xiāo)售華晶MOS的專(zhuān)業(yè)廠家。公司一直以來(lái)從事華晶MOS的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，多年來(lái)積累了豐富的專(zhuān)業(yè)技術(shù)及生產(chǎn)工藝。BOURNS代理是由本公司自主研發(fā)設(shè)計(jì)，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。此外，我司具有高質(zhì)精干的管理隊(duì)伍，擁有先進(jìn)的技術(shù)、設(shè)備以及完善的服務(wù)體系。
   選擇華晶MOS管的正確方法正確選擇華晶MOS管是很重要的一個(gè)環(huán)節(jié)。如果華晶MOS管選擇的并不好。它可能會(huì)影響整個(gè)電路的效率和成本，了解華晶MOS的不同部分的細(xì)微差別和應(yīng)力在不同的開(kāi)關(guān)電路。了解不同的華晶MOS管部件的細(xì)微差別及不同開(kāi)關(guān)電路中的應(yīng)力能夠幫助工程師避免諸多問(wèn)題，下面我們來(lái)學(xué)習(xí)下MOS管的正確的選擇方法。{dy}步：選用N溝道還是P溝道用于設(shè)計(jì)一個(gè)適當(dāng)?shù)难b置中的{dy}步驟是使用N溝道或P溝道華晶MOS管。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)的華晶MOS連接到地面，負(fù)載被連接到干線電壓時(shí)，華晶MOS管構(gòu)成的低電壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在開(kāi)放區(qū)域的低壓側(cè)，有必要使用N溝道MOS管，這是由于關(guān)閉或需要在設(shè)備上切換到所需的電壓。當(dāng)華晶MOS管被連接到總線和負(fù)載接地，高電壓側(cè)開(kāi)關(guān)被使用。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道華晶MOS管，這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。第二步：確定額定電流第二步是選擇華晶MOS管的額定電流。根據(jù)電路的結(jié)構(gòu)中，額定電流應(yīng)是可以承受的載荷在所有情況下的{zd0}電流。類(lèi)似的電壓時(shí)，設(shè)計(jì)者必須確保所選擇的華晶MOS管能承受額定電流，即使當(dāng)系統(tǒng)產(chǎn)生一個(gè)峰值電流。這兩種考慮到目前的情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式時(shí)，華晶MOS管處于穩(wěn)定狀態(tài)，并且電流通過(guò)器件。脈沖尖峰是指大量浪涌（或電流）通過(guò)裝置。一旦{zd0}電流被確定，可以承受的{zd0}電流的{zd0}值的裝置僅可用于直接選擇。第三步：確定熱要求在華晶MOS管的選擇下一個(gè)步驟是計(jì)算系統(tǒng)的冷卻需求。設(shè)計(jì)者必須考慮兩種不同的情況，即，最差的和真實(shí)的情況。建議在最壞的情況下的結(jié)果被使用，因?yàn)樵摻Y(jié)果提供安全的更大的程度，以確保該系統(tǒng)也不會(huì)失敗。也有應(yīng)注意的華晶MOS管上的一些測(cè)量數(shù)據(jù)，如，半導(dǎo)體結(jié)和環(huán)境，和{zd0}結(jié)溫度之間的熱電阻。器件結(jié)溫度等于熱阻和功率耗散（結(jié)溫度=的+電阻個(gè)電源耗散]{zg}環(huán)境溫度）的{zg}環(huán)境溫度和產(chǎn)物。根據(jù)等式，該系統(tǒng)的{zd0}功率耗散被定義，這等同于I 2 * RDS（ON）。由于設(shè)計(jì)人員已經(jīng)被確定為{zd0}電流通過(guò)器件時(shí)，RDS（ON）可以在不同的溫度來(lái)計(jì)算。值得注意的是，在處理用簡(jiǎn)單的熱模型的過(guò)程中，設(shè)計(jì)者還必須考慮半導(dǎo)體結(jié)/設(shè)備殼和熱容量的殼/環(huán)境;即，印刷電路板和包不會(huì)立即升溫。產(chǎn)品其他資料：產(chǎn)品名稱：華晶微電子；價(jià)格：1.0；熱銷(xiāo)區(qū)域：全國(guó)；主營(yíng)產(chǎn)品行業(yè)：工業(yè)品、電子元器件、二極管；企業(yè)類(lèi)型：有限責(zé)任公司；
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