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   選擇華晶MOS管的正確方法正確選擇華晶MOS管是很重要的一個環節。如果華晶MOS管選擇的并不好。它可能會影響整個電路的效率和成本，了解華晶MOS的不同部分的細微差別和應力在不同的開關電路。了解不同的華晶MOS管部件的細微差別及不同開關電路中的應力能夠幫助工程師避免諸多問題，下面我們來學習下MOS管的正確的選擇方法。{dy}步：選用N溝道還是P溝道用于設計一個適當的裝置中的{dy}步驟是使用N溝道或P溝道華晶MOS管。在典型的功率應用中，當一個的華晶MOS連接到地面，負載被連接到干線電壓時，華晶MOS管構成的低電壓側開關。在開放區域的低壓側，有必要使用N溝道MOS管，這是由于關閉或需要在設備上切換到所需的電壓。當華晶MOS管被連接到總線和負載接地，高電壓側開關被使用。通常會在這個拓撲中采用P溝道華晶MOS管，這也是出于對電壓驅動的考慮。第二步：確定額定電流第二步是選擇華晶MOS管的額定電流。根據電路的結構中，額定電流應是可以承受的載荷在所有情況下的{zd0}電流。類似的電壓時，設計者必須確保所選擇的華晶MOS管能承受額定電流，即使當系統產生一個峰值電流。這兩種考慮到目前的情況是連續模式和脈沖尖峰。在連續導通模式時，華晶MOS管處于穩定狀態，并且電流通過器件。脈沖尖峰是指大量浪涌（或電流）通過裝置。一旦{zd0}電流被確定，可以承受的{zd0}電流的{zd0}值的裝置僅可用于直接選擇。第三步：確定熱要求在華晶MOS管的選擇下一個步驟是計算系統的冷卻需求。設計者必須考慮兩種不同的情況，即，最差的和真實的情況。建議在最壞的情況下的結果被使用，因為該結果提供安全的更大的程度，以確保該系統也不會失敗。也有應注意的華晶MOS管上的一些測量數據，如，半導體結和環境，和{zd0}結溫度之間的熱電阻。器件結溫度等于熱阻和功率耗散（結溫度=的+電阻個電源耗散]{zg}環境溫度）的{zg}環境溫度和產物。根據等式，該系統的{zd0}功率耗散被定義，這等同于I 2 * RDS（ON）。由于設計人員已經被確定為{zd0}電流通過器件時，RDS（ON）可以在不同的溫度來計算。值得注意的是，在處理用簡單的熱模型的過程中，設計者還必須考慮半導體結/設備殼和熱容量的殼/環境;即，印刷電路板和包不會立即升溫。產品基本資料：產品名稱：華晶微電子；品牌商標：聚鼎豐；主營產品行業：工業品、電子元器件、三極管；公司注冊地址：深圳市龍華新區龍華街道布龍公路與上塘路交匯處金地上塘道花園一棟一單元23C；
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