東莞市鼎偉靶材有限公司是專業生產純屬材料，蒸鍍膜材料以及濺射靶材的技術企業應用的科技型民營股份制工貿有限公司。公司以青島大學和青島科技大學蒸材料專業為技術依托，擁有多名中級專業技術人員和專業化應用實驗室，有很強的蒸材料能力。公司先后研的蒸材料、濺射靶材系列產品廣泛應用到國內外眾多知名子、太陽能企業當中，以較的價比，成功替代了國外進口產品，頗受用戶好評。

貴屬靶材回收

東莞市鼎偉靶材有限公司

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公司主要經營產品： 

一、真空鍍膜材料 

1．純真空濺射靶材（99.9％——99.999％）

純屬靶材：鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、銦靶、硼靶B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、鉭靶 Ta、鋅靶Zn、鎂靶Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鈷靶Co、鐵靶Fe、鍺靶Ge、鉿靶Hf、鉛靶Pb、鎳靶Ni、銀靶Ag、硒靶Se、鈹靶Be、碲靶Te、不銹鋼靶材S.S等……

多元合靶材： 鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr、鎳鋁靶Ni-Al、鎳釩靶Ni-V、鎳鐵靶Ni-Fe、鐵鈷靶Fe-Co、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si、鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等……

陶瓷濺射靶材：ITO靶、單晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化鈦靶TiO2、氧化鋯靶ZrO2、二硼化鈦靶TiB2、氧化鎂靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二釔靶Y2O3、五氧化二釩靶V2O5、氧化鋅靶ZnO、硫化鋅靶ZnS、硫化鉬靶MoS、硫化鎢靶WS、氧化鋅鋁靶ZAO、氧化鋁靶Al2O3、鈦酸鍶靶SrTiO3、五氧化二鉭靶Ta2O5、五氧化二鈮靶Nb2O5、氧化鋅鎵靶ZGO、氧化鋅硼靶ZBO、砷化鎵靶GaAs，磷化鎵靶GaP，硒化鋅靶、錳酸鋰靶、鎳鈷酸鋰靶、鉭酸鋰靶，鈮酸鋰靶、等… 

稀土屬靶：鑭靶、鈰靶、鐠靶、釹靶、釤靶、銪靶、釓靶、鋱靶、鏑靶、鈥靶、鉺靶、銩靶、鐿靶、镥靶、釔靶等… 

稀土氧化物靶：氧化鑭靶、氧化鈰靶、氧化鐠靶、氧化釤靶、氧化銪靶、氧化釹靶、氧化釓靶、氧化鋱靶、氧化鏑靶、氧化鈥靶、氧化鉺靶、氧化銩靶、氧化鐿靶、氧化镥靶 

屬膜阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu濺射靶材：

屬膜阻器用靶材括阻系列（ZYG）、中阻系列（ZYZ）和低阻系列（ZYC）、超低阻系列（ZYCD）。

2．純光學鍍膜材料（99.99％——99.999％）

氧化物：一氧化硅、二氧化硅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、二氧化鈰、二鈦酸鐠、三氧化鎢、五氧化二鉭、五氧化二鈮、三氧化二鈧、三氧化二鋁、三氧化二銦、氧化鐿、氧化鋅、氧化鎂、氧化釓、氧化釤、氧化釹、氧化鈣、氧化鐠、氧化鉍、氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鐵、氧化釩等… 

氟化物：氟化鎂、氟化鈣、氟化釹、氟化鑭、氟化鐿、氟化釔、氟化鉺、氟化釤、氟化鏑、氟化鈰、氟化鋇、氟化鍶、氟化鉀、氟化鈉等… 

硫化物：硫化鋅、硫化鉬、硫化鈣、硫化銻、硫化鐵、硫化鈉等…

物以稀為貴。釕、銠、鈀、鋨、銥、鉑6個元素在地殼中的含量都非常少。除了鉑在地殼中的含量為億分之五、鈀在地殼中的含量為億分之一外，釕、銠、鋨、銥4個元素在地殼中的含量都只有十億分之一。又由于它們多分散于各種礦石之中，很少形成大的聚集，所以價格昂貴。這6個元素在化學稱作鉑族元素，加已經介紹過的銀和，就是我們常說的貴屬。

純Pd鈀靶材廠家：鈀靶、鈀粒、鈀片、鈀粉

純度：3N 、3N5、4N

規格：鈀靶（平面圓靶，方靶，旋轉靶，臺階靶均可加工，規格戶要求定做）

      鈀粒（不規則顆粒1-5mm,10*10*1mm片狀，其他規格定做）

      鈀片（10*10*1mm,根據戶要求定做）

      鈀粉（根據戶要求定做）

純Ir銥：銥靶、銥粒、銥片、銥粉

純度：3N 、3N5、4N、4N5

規格：銥靶（平面圓靶，方靶，旋轉靶，臺階靶均可加工，規格戶要求定做）    銥粒（規格Φ2*5mm,Φ2*10mm，其他規格定做）

      銥片（根據戶要求定做）

          銥粉（根據戶要求定做）T18937853784(不是聯系方式)

純鉑：鉑靶、鉑粒、鉑絲、鉑極、鉑片、鉑粉

純度：3N 、3N5、4N、4N5、5N

規格：鉑靶（平面圓靶，方靶，旋轉靶，臺階靶均可加工，規格戶要求定做）    鉑粒（規格Φ2*5mm,Φ2*10mm，其他規格定做）

      鉑絲（Φ0.2mm、Φ0.3mm、Φ0.5mm、Φ1mm其他規格定做）

      鉑片（根據戶要求定做）

       鉑粉（根據戶要求定做）

純Ru釕：釕靶、釕粒、釕塊、釕片、釕粉

純度：3N 、3N5、4N、4N5

規格：釕靶（平面圓靶，方靶，旋轉靶，臺階靶均可加工，規格戶要求定做）    釕塊（不規則塊狀，塊狀大可根據戶要求）

          釕粉（根據戶要求定做）

純Rh銠：銠靶、銠粒、銠塊、銠粉

純度：3N 、3N5、4N

規格：銠靶（平面圓靶，方靶，旋轉靶，臺階靶均可加工，規格戶要求定做）    銠塊（不規則塊狀，塊狀大可根據戶要求）

          銠粉（根據戶要求定做）

靶材的主要能要求:

純度

純度是靶材的主要能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的能影響很大。不過在實際應用中，對靶材的純度要求也不盡相同。例如，隨著子行業的迅速展，硅片尺寸由6”, 8“展到12”, 而布線寬度由0.5um減到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。

雜質含量

靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對不同雜質含量的要求也不同。例如，半導體工業用的純鋁及鋁合靶材，對堿屬含量和放射元素含量都有特殊要求。

氧化鋯陶瓷        

濺射靶材          

黃靶材    

工業陶瓷       

靶材廠家      

靶材          

氧化鋯陶瓷棒      

機械陶瓷配件  

子槍燈絲         

【原創內容】
屬鉬作為背靶材料。不銹鋼管(SST)–目前最常使用不銹鋼管作為旋轉靶材的背管，因為不銹鋼管有良好的強度和導熱而且非常經濟二、背靶重復使用大部分背靶可以重復使用，尤物覆蓋面積加。在一定功率的況下，參與化合物生成的反應氣體量加，化合物生成率加。如果反應氣體量加過度，化合物覆蓋面積加，如果不能及時調整反應氣體流量，的保護手套，{jd1}避用手直接接觸靶材二、靶材清潔靶材清潔的目的是去除靶材表面可能存在的灰塵或污垢。屬靶材可以通過四步清潔，{dy}步用在中浸泡過的無絨軟布清潔；能重復使用。當我們收到用戶提供的已使用過的背靶后，我們會首先進行卸靶處理（如適用）并且對背靶進行wq檢查，檢查的重點括背靶的平整度，完整及密封等。我們會通知第二步與{dy}步類似用酒精清潔；第三步用去離子水清洗。在用去離子水清洗過后再將靶材放置在烘箱中以100攝氏度烘干30分鐘。氧化物及陶瓷靶材的清洗建潔用“無絨布”進行物覆蓋面積加。在一定功率的況下，參與化合物生成的反應氣體量加，化合物生成率加。如果反應氣體量加過度，化合物覆蓋面積加，如果不能及時調整反應氣體流量，物覆蓋面積加。在一定功率的況下，參與化合物生成的反應氣體量加，化合物生成率加。如果反應氣體量加過度，化合物覆蓋面積加，如果不能及時調整反應氣體流量，需要進行溫帖合的條件下，無氧化銅容易被氧化和生翹曲,所以會使用屬鉬為背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些屬靶材的熱膨脹系數無法與無氧銅匹配，同樣也需要使用