在各大科技廠商中，IBM是建議將碳納米管應(yīng)用于微電子領(lǐng)域的強(qiáng)力支持者之一，該公司已經(jīng)明確表示希望碳納米管技術(shù)將在接下來的十年內(nèi)準(zhǔn)備就緒，屆時(shí)預(yù)計(jì)半導(dǎo)體芯片的尺寸將縮小至5納米的極限尺寸。但截至目前，各大學(xué)和芯片廠商的研究人員還只能成功地將碳納米管用于單獨(dú)器件的制作，如制作晶體管等。
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TI的RFAB、TSMC12廠5期和UMC12A廠3/4期(前12B廠)以及三星的第16生產(chǎn)線和IM在新加坡的閃存工廠。SEMI的全球集成電路制
造廠觀測(cè)報(bào)告也揭示了一批即將破土動(dòng)工的新建芯片制造廠的計(jì)劃，如TSMC14廠的第4期、可能動(dòng)工的FlashAlliance的5廠及其他。
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硅屬于半導(dǎo)體材料，其自身的導(dǎo)電性并不是很好。然而，可以通過添加適當(dāng)?shù)膿诫s劑來控制它的電阻率。制造半導(dǎo)體前，必須將硅轉(zhuǎn)換為晶圓片(wafer)。這要從硅錠的生長(zhǎng)開始。單晶硅是原子以三維空間模式周期形成的固體，這種模式貫穿整個(gè)材料。
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