
二段b(曲線bc段):多孔層形成。隨著氧化膜的生成,電解液對膜的溶解作用也就開始了。由于生成的氧化膜并不均勻,在膜薄的地方將首先被溶解出空穴來,電解液就可以通過這些空穴到達鋁的新鮮表面,電化學反應得以繼續進行,電阻減小,電壓隨之下降(下降幅度為高值的10~15%),膜上出現多孔層。

氧化時間:氧化時間的選擇,取決于電解液濃度,溫度,陽極電流密度和所需要的膜厚。相同條件下,當電流密度恒定時,膜的生長速度與氧化時間成正比;但當膜生長到一定厚度時,由于膜電阻升高,影響導電能力,而且由于溫升,膜的溶解速度增大,所以膜的生長速度會逐漸降低,到不再增加。

重鉻酸鹽封閉法此法適宜于封閉硫酸溶液中陽極氧化的膜層及化學氧化的膜層。用本法處理后的氧化膜顯黃色,它的抗蝕性高,但不適用于裝飾性使用。其原理是:在較高溫度下,氧化膜和重鉻酸鹽產生化學反應,反應產物堿式鉻酸鋁及重鉻酸鋁沉淀于膜孔中,同時熱溶液使氧化膜層表面產生水化,加強了封閉作用。故可認為是填充及水化雙重封閉作用。