LED芯片制造商，產(chǎn)品以碳化硅(SiC),氮化鎵(GaN),硅(Si)及相關(guān)的化合物為基礎(chǔ),bao括藍(lán),綠,紫外發(fā)光二極管(LED),近紫外激光,射頻(RF)及微波器件,功率開關(guān)器件及適用于生產(chǎn)及科研的碳化硅(SiC)晶圓片。　是市場上的革新者與半導(dǎo)體的制造商，以顯著地提高固態(tài)照明，電力及通訊產(chǎn)品的能源效果來提高它們的價值。公司的市場優(yōu)勢關(guān)鍵來源于公司在有氮化鎵（gan）的碳化硅（sic）方面上的材料專長知識，來制造芯片及成套的器件。

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多晶硅是很多具有不同晶向的小單晶體單獨形成的，不能用來做半導(dǎo)體電路。多晶硅必須融化成單晶體，才能加工成半導(dǎo)體應(yīng)用中使用的晶圓片。加工硅晶片生成一個硅錠要花一周到一個月的時間，這取決于很多因素，bao括大小、質(zhì)量和終端用戶要求。超過75%的單晶硅晶圓片都是通過Czochralski(CZ，也叫提拉法)方法生長的。

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硅錠生長需要大塊的純凈多晶硅，將這些塊狀物連同少量的特殊III、V族元素放置在石英坩堝中，這稱為摻雜。加入的摻雜劑使那些長大的硅錠表現(xiàn)出所需要的電特性。最普通的摻雜劑是硼、磷、砷和銻。因使用的摻雜劑不同，會成為一個P型或N型的硅錠（P型/硼，N型/磷、銻、砷）。

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