半導體芯片退火

半導體芯片在經過離子注入以后就需要退火。因為往半導體中注入雜質離子時，高能量的入射離子會與半導體晶格上的原子碰撞，使一些晶格原子發生位移，結果造成大量的空位，將使得注入區中的原子排列混亂或者變成為非晶區，所以在離子注入以后必須把半導體放在一定的溫度下進行退火，以恢復晶體的結構和xc缺陷。同時，退火還有啟動施主和受主雜質的功能，即把有些處于間隙位置的雜質原子通過退火而讓它們進入替位置。退火的溫度一般為200~800C，比熱擴散摻雜的溫度要低得多。

蒸發電極金屬退火

蒸發電極金屬以后需要進行退火，使得半導體表面與金屬能夠形成合金，以接觸良好（減小接觸電阻）。這時的退火溫度要選取得稍高于金屬-半導體的共熔點（對于Si-Al合金，為570度）。  

上下屈fu強度的判定：

1：屈fu前的初個峰值應力判為上屈fu強度，不管其后峰值應力大小如何。

2：屈fu階段中出現2個或2個以上的谷值應力，舍去初個谷值應力，取其余谷值中至小者為下屈fu強度。如果只有1個谷值應力，則取為下屈fu強度。

 3：屈fu階段出現平臺，平臺應力判定為下屈fu強度。如出現多個平臺且后者高于前者，取初個平臺應力為下屈fu強度。

 4：正確的判定結果是下屈fu強度一定比上屈fu強度低。

屈fu強度的意義

傳統的強度設計方法，對塑性材料，以屈fu強度為標準，規定許用應力[σ]=σys/n，安全系數n一般取2或更大，對脆性材料，以抗拉強度為標準，規定許用應力[σ]=σb/n，安全系數n一般取6。 屈fu強度不僅有直接的使用意義，在工程上也是材料的某些力學行為和工藝性能的大致度量。例如材料屈fu強度增高，對應力腐蝕和氫脆就敏感；材料屈fu強度低，冷加工成型性能和焊接性能就好等等。因此，屈fu強度是材料性能中不可缺少的重要指標。

影響屈fu強度的因素

 影響屈fu強度的內在因素有：結合鍵、組織、結構、原子本性。如將金屬的屈fu強度與陶瓷、高分子材料比較可看出結合鍵的影響是根本性的。從組織結構的影響來看，可以有四種強化機制影響金屬材料的屈fu強度，即固溶強化、形變強化、沉淀強化和彌散強化、晶界 和亞晶強化。其中沉淀強化和細晶強化是工業合金中提高材料屈fu強度的最常用的手段。在這幾種強化機制中，前三種機制在提高材料強度的同時，也降低了塑性，只有細化晶粒和亞晶，既能提高強度又能增加塑性。 影響屈fu強度的外在因素有：溫度、應變速率、應力狀態。隨著溫度的降低與應變速率的增高,材料的屈fu強度升高，尤其是體心立方金屬對溫度和應變速率特別敏感，這導致了鋼的低溫脆化。應力狀態的影響也很重要。雖然屈fu強度是反映材料的內在性能的一個本質指標，但應力狀態不同，屈fu強度值也不同。我們通常所說的材料的屈fu強度一般是指在單向拉伸時的屈fu強度。