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場效應管開關電路|無錫場效應管|蘇州硅能半導體科技1(多圖)
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楊小平(經理)
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蘇州硅能半導體科技股份有限公司
0512-62560688
蘇州園區金雞湖大道99號納米科技城20幢501室
Alex.xia@silikron.com
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蘇州硅能半導體科技股份有限公司

蘇州硅能半導體科技股份有限公司注冊于2007年11月12日,注冊資本5000萬人民幣,是一家股東結構完善,包含蘇州固锝電子(上市公司)、國際通信設備制造商(上市公司)、上海市政1府旗下的創投資本,以及蘇州市政1府旗下的創投資本集團等共同投資創立的科技半導體設計&制造公司,現坐落于蘇州工業園區內。 公司擁有歐洲、韓國、臺灣和大陸海歸所組成的強大設計團隊,核心人員均具有十年以上豐富的功率半導體器件的設計和應用經驗,CAD仿1真、產品測試、可靠性、試驗流水線等研發裝備一應齊全,與國內先進的晶圓&封裝工廠緊密合作,已開發的產品包括大功率MOSFET、溝槽式肖特基、射頻功率晶體管、IGBT和功率集成電路。目前已申請并獲得數十項國家專利,并在短時間內快速成長為大中國區擁有自主知識品牌,品種齊全,某些產品質量性能堪與世界{yl}IDM公司相媲美的功率半導體設計公司。 硅能品牌的產品廣泛應用于電動車電機、筆記本等數碼產品、鋰電保護、Adaptor、太陽能(LED)、航模、工業開關控制(UPS)、變頻器、通訊設備等等各種電源轉換控制,采用代理和直銷模式建立了完善的市場銷售渠道,3年內營銷過億元。
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交流參數

交流參數可分為輸出電阻和低頻互導2個參數,輸出電阻一般在幾十千歐到幾百千歐之間,而低頻互導一般在十分之幾至幾毫西的范圍內,特殊的可達100mS,甚至更高。

低頻跨導gm它是描述柵、源電壓對漏極電流的控制作用。

極間電容場效應管三個電極之間的電容,它的值越小表示管子的性能越好。。。。。。。。。。。。。。



結型場效應管(JFET)

1、結型場效應管的分類:結型場效應管有兩種結構形式,它們是N溝道結型場效應管和P溝道結型場效應管。

結型場效應管也具有三個電極,它們是:柵極;漏極;源極。

電路符號中柵極的箭頭

方向可理解為兩個PN結的正向導電方向。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。




極限參數

①zui大漏極電流是指管子正常工作時漏極電流允許的上限值,

②zui大耗散功率是指在管子中的功率,受到管子zui高工作溫度的限制,

③zui大漏源電壓是指發生在雪崩擊穿、漏極電流開始急劇上升時的電壓,

④zui大柵源電壓是指柵源間反向電流開始急劇增加時的電壓值。

除以上參數外,還有極間電容、高頻參數等其他參數。

漏、源擊穿電壓當漏極電流急劇上升時,產生雪崩擊穿時的UDS。

柵極擊穿電壓結型場效應管正常工作時,柵、源極之間的PN結處于反向偏置狀態,若電流過高,則產生擊穿現象。


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