產(chǎn)品特色
JEDEC標(biāo)準(zhǔn)1.2V（1.26V?1.14V）電源
JEDEC標(biāo)準(zhǔn)260針雙列直插式內(nèi)存模塊
8位預(yù)取
在與ODT引腳的終止
雙向差分?jǐn)?shù)據(jù)選通
平均刷新周期為7.8us，低于TCASE 85°C，在85°C時為3.9us <TCASE≤95°C
30μ“金手指
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

產(chǎn)品介紹：

Innodisk寬溫DRAM模塊專為工業(yè)系統(tǒng)而設(shè)計(jì)，非常適合在極端溫度下工作的應(yīng)用。這些模塊使用30μ“金手指”的工業(yè)級SDRAM組件，以確保內(nèi)存保持其高品質(zhì)的信號，即使在-40oC或高達(dá)85oC的溫度下。
規(guī)格：

系列 無緩沖寬溫
模塊類型 DDR4 SODIMM
接口 DDR4
構(gòu)成因素 SODIMM
數(shù)據(jù)速率 2133噸/秒，2400噸/秒，2666噸/秒
容量 4GB，8GB，16GB
功能 非ECC無緩沖內(nèi)存
針號 260pin
寬度 64位
電壓 1.2V
PCB高度 1.18英寸
操作溫度 -40°C?+ 85°C
金手指30μ“ ?
增值服務(wù)（可選） 保形涂層，側(cè)面填充
產(chǎn)品料號：

類型和速度
類型和速度 密度 高度 Innodisk Memory P / N