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TT8M-ASEMI_65W氮化鎵快充貼片橋堆-ll
型號:TT8M
封裝:TMBF
電流:8A
電壓:1000V
特性:小貼片整流橋
應用范圍:小功率開關電源,充電器,電源適配器,LED燈整流器等相關電器產品。
相比傳統充電器,它有哪些優勢?
充電效率高。氮化鎵的帶隙比硅高得多,這意味著它可以隨時間傳導更高的電壓。帶隙較大也意味著電流可以比硅更快地流過GaN制成的芯片,從而可以更快地進行處理,充電更快。