MSB307-ASEMI手機(jī)快充{gx}率軟橋-ll

產(chǎn)品：MSB307

品牌：ASEMI

封裝：MSB

電流：3A

電壓：1000V

應(yīng)用范圍：小功率開關(guān)電源，充電器，電源適配器，LED燈整流器等相關(guān)電器產(chǎn)品。

相比傳統(tǒng)充電器，它有哪些優(yōu)勢？

散熱快。氮化鎵與前兩代的半導(dǎo)體相比，禁帶寬度大、導(dǎo)熱系數(shù)更高。而且可在200以上的高溫下工作，能承載更高的能量密度，可靠性高，能夠?qū)⑦^度充電的可能性最小化。

體積小。氮化鎵材料本身優(yōu)異的性能，使得做出來的氮化鎵比傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET 等芯片面積更小，同時(shí)由于更耐高壓，大電流，氮化鎵芯片功率密度更大，因此功率密度/面積遠(yuǎn)超硅基。此外由于使用氮化鎵芯片還減少了周邊的其他元件的使用，電容、電感、線圈等被動(dòng)件比硅基方案少得多，也進(jìn)一步縮小了體積。