MSB307-ASEMI手機快充{gx}率軟橋

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MSB307-ASEMI手機快充{gx}率軟橋-ll

產品：MSB307

品牌：ASEMI

封裝：MSB

電流：3A

電壓：1000V

應用范圍：小功率開關電源，充電器，電源適配器，LED燈整流器等相關電器產品。

相比傳統(tǒng)充電器，它有哪些優(yōu)勢？

散熱快。氮化鎵與前兩代的半導體相比，禁帶寬度大、導熱系數更高。而且可在200以上的高溫下工作，能承載更高的能量密度，可靠性高，能夠將過度充電的可能性最小化。

體積小。氮化鎵材料本身優(yōu)異的性能，使得做出來的氮化鎵比傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET 等芯片面積更小，同時由于更耐高壓，大電流，氮化鎵芯片功率密度更大，因此功率密度/面積遠超硅基。此外由于使用氮化鎵芯片還減少了周邊的其他元件的使用，電容、電感、線圈等被動件比硅基方案少得多，也進一步縮小了體積。

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