長期回收手機內存卡，數碼內存卡在一些非揮發性存儲器如相變存儲器（phase-change memory；pcm）、磁阻存儲器（ resistive memory；m-ram）、電阻存儲器（resistive memory；rram）等技術已蓄勢待發、即將邁向商業量產門檻之際，ddr4將可能是末代的ddr存儲器，屆時電腦與軟體結構將會出現 為劇烈的變動。
nand flash逼近制程物理以提升容量密度
以浮閘式（floating gate）半導體電路所設計的nand flash非揮發性存儲器，隨著flash制程技術不斷進化、單位容量成本不斷下降的情況下，已經在智慧手機、嵌入式裝置與工控應用上大量普及。
micron自家市場統計預測指出，從2012到2016年總體nand flash容量應用的年復合成長率可達51 。2013年，美光（micron）與sk hynix兩家晶圓廠，先后發表16nm制程的nand flash存儲器技術，而東芝（toshiba）則在2014年直接跨入15nm制程，并推出相關nand flash存儲器芯片產品。
nand flash傳輸速率，從2010年onfi 2.0的133mb/s，emmc v4.41的104mb/s；到2011年onfi v2.2/toggle 1.0規格，傳輸速率提升到200mb/s，emmc v4.5拉高到200mb/s，ufs 1.0傳輸速率為2.9gbps；2012年onfi v3.0/toggle v1.5提升到400mb/s，ufs v2.0傳輸速率倍增為5.8gbps；預估到2015年，onfi v4.x/toggle v2.xx規格定義的傳輸速率增到800mb/s、1.6gb/s。
隨著nand flash制程進步與線路寬度與間距的微縮，連帶影響到抹寫次數（p/e cycles）的縮減。slc存儲器從3x 制程的100，000次p/e cycles、4個ecc bit到2x 制程降為60，000 p/e、ecc 24bit。mlc從早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程時已降為3，000 p/e、24~40個ecc bit。
有廠商提出，eslc、islc的存儲器解決方案，以運用既有的低成本的mlc存儲器，在單一細胞電路單元使用slc讀寫技術（只儲存單一位元的電荷值），抹寫***度提升到30，000次p/e，成本雖比mlc高，但xjb遠于slc，可應用在ipc／kiosk／pos系統、嵌入式系統、伺服器主機板以及薄型終端機等。
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