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保險絲和保險絲夾的具體供電路的被保護電路的相同。然而，過壓保護是參考的保險絲和保險絲夾供應所有的信號輸入端子的電壓，電源電壓的改為套房下保護電路的需求。 電壓范圍可能范圍從4.5V的電源水平{jd1}{zd0}額定值的SP720。下級電壓是可能的，但與一些退化的開關名義上是2ns的速度。此外，輸入電容這是名義上3pF的，可以預計將增加。
有沒有斜面靜態電流比反向其他二極管結電流名義上在低于50nA的工作溫度。在耐溫情況下，保險絲夾取決于銅片的厚度，這可能是低幾毫微安。保險絲夾的厚度可以預期溫度接近環境將它應用到使用的物理位置。保護級別的對于給定的電壓或功率水平，有一個需要相適應的保護。對于SP720，以打擊在過電壓保護電路設計峰值電流的范圍，將大大改善生存平均單片硅電路用于輸入預期小信號和數字處理應用。在自身內部，應該預料到生存的峰值電流和電壓浪涌在數據內的{zg}收視率負債表。對于電壓，靜態直流和工期短的瞬態能力本質上是相同的。過程能力一般優于45V，允許的{zd0}連續直流供應評級保守的額定功率為35V。
目前任何一個可控硅部分能力的額定電流為2A的峰值，但芯片上的瞬態加熱效果的持續時間有限。，可控硅的阻力，當它鎖存，約0.96 和SCR鎖存閾值有1.08V的偏移。對于EOS，峰值功耗可計算公式如下而2A通過3000V是，這不是一個防靜電電壓非常高的水平，它代表EOS的能力，提供了6W的持續時間功耗是有限的幾毫秒。耗散16腳DIP和16引腳SOIC封裝通常少超過1W穩態條件。熱容量該芯片將允許多次排放水平高于本，因為靜電放電通常有一個持續時間要短得多。
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