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全國回收HOLTEK(合泰)藍牙IC 181-2470 同上1558 微芯同號 例如,顆粒妨礙離子植人或光刻圖案的正常。在刻蝕時,顆粒阻斷光刻圖案向膜層圖案的轉移;在制程的后段部分(金屬內連接),顆粒能引起導線的斷開和臨線的導通。當集成電路制造的線寬微縮到40nm以下,很小尺寸的顆粒都會導致IC的失敗,小顆粒尺寸的要求仰仗于顆粒所處的區域和該區域的器件特征尺寸。
如受金屬污染的柵氧化層,漏電流會增大,良率降低污染的膜層在酸槽中刻蝕,會二次污染酸槽;污染的膜層也有可能直接或分解成有害副產物阻止下一個沉積膜對晶片的很好粘附,造成脫落;甚至在無氧環境下加熱,有機膜殘渣碳化,或將與硅反應在晶片L形成化硅(SiC)缺陷區。
