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ASE60N10-ASEMI中低壓MOS管ASE60N10
型號(hào)：ASE60N10
品牌：ASEMI
封裝：TO-263
大漏源電流：60A
漏源擊穿電壓：100V
RDS（ON）Max：17Ω
引腳數(shù)量：3
芯片個(gè)數(shù)：
溝道類型：N溝道MOS管、中低壓MOS管
漏電流：ua
特性：N溝道MOS管、場(chǎng)效應(yīng)管
工作溫度：-55℃~175℃
備受歡迎的ASE60N10 MOS管
ASEMI品牌ASE60N10是采用工藝芯片，該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力，能夠持續(xù)保證了ASE60N10的大漏源電流60A，漏源擊穿電壓100V.
?細(xì)節(jié)體現(xiàn)差距
ASE60N10,ASEMI品牌，工藝芯片，工藝制造，該產(chǎn)品穩(wěn)定性高，抗沖擊能力強(qiáng)。
ASE60N10具體參數(shù)為：大漏源電流：60A，漏源擊穿電壓：100V，反向恢復(fù)時(shí)間： ns，封裝：TO-263
