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AO3400A-ASEMI中低壓N溝道MOS管AO3400A

作者:深圳市強元芯電子有限公司 來源:asemi888 發布時間:2024-11-23 瀏覽:3
AO3400A-ASEMI中低壓N溝道MOS管AO3400A

編輯:ll

AO3400A-ASEMI中低壓N溝道MOSAO3400A

型號:AO3400A

品牌:ASEMI

封裝:SOT-23

批號:最新

漏源電流:5.8A

漏源擊穿電壓:30V

RDSONMax30mΩ

引腳數量:3

芯片個數:

溝道類型:N溝道MOS管、低壓MOS

漏電流:ua

特性:N溝道MOS管、場效應管

工作溫度:-55~150

備受歡迎的AO3400A MOS

  ASEMI品牌AO3400A是采用工藝芯片,該芯片具有良好的穩定性及抗沖擊能力,能夠持續保證了AO3400A的漏源電流5.8A,漏源擊穿電壓30V.

?細節體現差距

AO3400A,ASEMI品牌,工藝芯片,工藝制造,該產品穩定性高,抗沖擊能力強。

AO3400A具體參數為:漏源電流:5.8A,漏源擊穿電壓:30V,反向恢復時間: ns,封裝:SOT-23


鄭重聲明:資訊 【AO3400A-ASEMI中低壓N溝道MOS管AO3400A】由 深圳市強元芯電子有限公司 發布,版權歸原作者及其所在單位,其原創性以及文中陳述文字和內容未經(企業庫www.zgmflm.cn)證實,請讀者僅作參考,并請自行核實相關內容。若本文有侵犯到您的版權, 請你提供相關證明及申請并與我們聯系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會盡快處理。
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