東莞市鼎偉靶材有限公司是專業生產純屬材料，蒸鍍膜材料以及濺射靶材的技術企業應用的科技型民營股份制工貿有限公司。公司以青島大學和青島科技大學蒸材料專業為技術依托，擁有多名中級專業技術人員和專業化應用實驗室，有很強的蒸材料能力。公司先后研的蒸材料、濺射靶材系列產品廣泛應用到國內外眾多知名子、太陽能企業當中，以較的價比，成功替代了國外進口產品，頗受用戶好評。

舊黃靶材回收，AU靶材

東莞市鼎偉靶材有限公司

聯系人：肖先生

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地址：東莞市南城區民間融大廈

公司主要經營產品： 

一、真空鍍膜材料 

1．純真空濺射靶材（99.9％——99.999％）

純屬靶材：鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、銦靶、硼靶B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、鉭靶 Ta、鋅靶Zn、鎂靶Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鈷靶Co、鐵靶Fe、鍺靶Ge、鉿靶Hf、鉛靶Pb、鎳靶Ni、銀靶Ag、硒靶Se、鈹靶Be、碲靶Te、不銹鋼靶材S.S等……

多元合靶材： 鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr、鎳鋁靶Ni-Al、鎳釩靶Ni-V、鎳鐵靶Ni-Fe、鐵鈷靶Fe-Co、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si、鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等……

陶瓷濺射靶材：ITO靶、單晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化鈦靶TiO2、氧化鋯靶ZrO2、二硼化鈦靶TiB2、氧化鎂靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二釔靶Y2O3、五氧化二釩靶V2O5、氧化鋅靶ZnO、硫化鋅靶ZnS、硫化鉬靶MoS、硫化鎢靶WS、氧化鋅鋁靶ZAO、氧化鋁靶Al2O3、鈦酸鍶靶SrTiO3、五氧化二鉭靶Ta2O5、五氧化二鈮靶Nb2O5、氧化鋅鎵靶ZGO、氧化鋅硼靶ZBO、砷化鎵靶GaAs，磷化鎵靶GaP，硒化鋅靶、錳酸鋰靶、鎳鈷酸鋰靶、鉭酸鋰靶，鈮酸鋰靶、等… 

稀土屬靶：鑭靶、鈰靶、鐠靶、釹靶、釤靶、銪靶、釓靶、鋱靶、鏑靶、鈥靶、鉺靶、銩靶、鐿靶、镥靶、釔靶等… 

稀土氧化物靶：氧化鑭靶、氧化鈰靶、氧化鐠靶、氧化釤靶、氧化銪靶、氧化釹靶、氧化釓靶、氧化鋱靶、氧化鏑靶、氧化鈥靶、氧化鉺靶、氧化銩靶、氧化鐿靶、氧化镥靶 

屬膜阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu濺射靶材：

屬膜阻器用靶材括阻系列（ZYG）、中阻系列（ZYZ）和低阻系列（ZYC）、超低阻系列（ZYCD）。

2．純光學鍍膜材料（99.99％——99.999％）

氧化物：一氧化硅、二氧化硅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、二氧化鈰、二鈦酸鐠、三氧化鎢、五氧化二鉭、五氧化二鈮、三氧化二鈧、三氧化二鋁、三氧化二銦、氧化鐿、氧化鋅、氧化鎂、氧化釓、氧化釤、氧化釹、氧化鈣、氧化鐠、氧化鉍、氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鐵、氧化釩等… 

氟化物：氟化鎂、氟化鈣、氟化釹、氟化鑭、氟化鐿、氟化釔、氟化鉺、氟化釤、氟化鏑、氟化鈰、氟化鋇、氟化鍶、氟化鉀、氟化鈉等… 

硫化物：硫化鋅、硫化鉬、硫化鈣、硫化銻、硫化鐵、硫化鈉等…

貴屬：、銀、鉑、釕、銠、鈀、鋨、銥

純：靶、粒、絲、極、片、粉

純度：3N 、3N5、4N、4N5、5NT18937326747(不是聯系方式)

規格：靶（平面圓靶，方靶，旋轉靶，臺階靶均可加工，規格戶要求定做）    粒（規格Φ2*5mm,Φ2*10mm，其他規格定做）

      絲（Φ0.2mm、Φ0.3mm、Φ0.5mm、Φ1mm其他規格定做）

      片（根據戶要求定做）

      粉（根據戶要求定做）

靶材的主要能要求:

純度

純度是靶材的主要能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的能影響很大。不過在實際應用中，對靶材的純度要求也不盡相同。例如，隨著子行業的迅速展，硅片尺寸由6”, 8“展到12”, 而布線寬度由0.5um減到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。

雜質含量

靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對不同雜質含量的要求也不同。例如，半導體工業用的純鋁及鋁合靶材，對堿屬含量和放射元素含量都有特殊要求。

【原創內容】
第二步與{dy}步類似用酒精清潔；第三步用去離子水清洗。在用去離子水清洗過后再將靶材放置在烘箱中以100攝氏度烘干30分鐘。氧化物及陶瓷靶材的清洗建潔用“無絨布”進行濺射工藝進行過程中靶表面濺射溝區域內出現被反應生成物覆蓋或反應生成物被剝離而重暴露屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合直接影響真空度獲得和加成膜失敗的可能。短路或靶材起弧，成膜表面粗糙及化學雜質含量超標經常是由于不潔凈的濺射室、濺射槍和靶材引起的。為保持鍍膜的成分特，濺射清潔。第四步在qc完有污垢的區域后，再用壓低水氣的氬氣沖洗靶材，以除去所有可能在濺射系統中會造成起弧的雜質粒三、靶材安裝靶材安裝過程中最重要的意事項是一定用戶對背靶的檢查結果，如我們現有需要維修的地方會書面通知戶并提供維修報價。影響靶材中的因素主要是反應氣體和濺射氣體的比例，反應氣體過量就會導致靶中。反應要確保在靶材和濺射槍冷卻壁之間建立很好的導熱連接。如果用冷卻壁的翹曲程度嚴重或背板翹曲嚴重會造成靶材安裝時生裂或彎曲，背靶到靶材的導熱能就會受到很大的影響，清潔。第四步在qc完有污垢的區域后，再用壓低水氣的氬氣沖洗靶材，以除去所有可能在濺射系統中會造成起弧的雜質粒三、靶材安裝靶材安裝過程中最重要的意事項是一定是無氧銅，因為無氧銅有良好的導和導熱，而且比較容易機械加工。如果保養適當，無氧銅背靶可以重復使用10次甚至更多。鉬(Mo)–在某些使用條件比較特殊的況下，如