與單晶硅的比較

單晶硅和多晶硅的區別是，當熔融的單質硅凝固時,硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。如果這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶硅。多晶硅與單晶硅的差異主要表現在物理性質方面。例如在力學性質、電學性質等方面，多晶硅均不如單晶硅。多晶硅可作為拉制單晶硅的原料。單晶硅可算得上是世界i上最純凈的物質了，一般的半導體器件要求硅的純度6N以上。大規模集成電路的要求更高，硅的純度必須達到9N，人們已經能制造出純度為12N的單晶硅。單晶硅是電子計算機、自動控制系統等現代科學技術中不可缺少的基本材料。高純度硅在石英中提取，以單晶硅為例，提煉要經過以下過程：石英砂一冶金級硅一提純和精煉一沉積多晶硅錠一單晶硅一硅片切割。

一種具有定向凝固組織多晶硅錠的制備裝置

[簡介]： 一種具有定向凝固組織多晶硅錠的制備方法，它涉及一種多晶硅錠生產方法，以解決現有多晶硅錠的制備主要是在陶瓷或石墨套筒中進行，套筒內壁對多晶硅產生污染，導致多晶硅錠的純度低的問題。方法：一、先漏入石墨底座上

25g顆粒...一種具有定向凝固組織多晶硅錠的制備方法

[簡介]： 一種初凝多晶硅定向生長鑄錠的鑄造工藝方法和所用裝置，屬于鑄造技術領域。結合V法鑄造鑄型在傳統鑄造中保溫效果*好的特點，該工藝使用V法鑄型進行多晶硅的鑄造生產。本發明裝置分為上鑄型1、下鑄型2和冷卻系統3共三部分。...

一種定向凝固造渣精煉提純多晶硅的方法

[簡介]： 本發明涉及冶金法多晶硅生產中{gx}定向凝固除雜的工藝。其技術方案是：a.預熱：對坩堝中的硅料進行緩慢預熱，預熱真空度達到0.8Pa以下，預熱溫度范圍：室溫～1200℃，預熱時間：6～10h，預熱中要求wq保溫；b.熔化：緩慢充入氣至...

一種利用多晶硅鑄錠爐進行{gx}定向凝固除雜的工藝

[簡介]： 本實用新型屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的設備，設備由爐門及真空爐壁構成真空設備，真空設備的內腔即為真空室，真空室內安裝熔煉裝置和熔化裝置，熔煉裝置采用熔煉坩鍋安裝...