氣壓規(guī)定

對于大部分潔凈空間，為了防止外界污染侵入，需要保持內(nèi)部的壓力（靜壓）高于外部的壓力（靜壓）。壓力差的維持一般應(yīng)符合以下原則：

1．潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力。

2.潔凈度級別高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度級別低的空間的壓力。

壓力差的維持依靠新風(fēng)量，這個新風(fēng)量要能補償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風(fēng)量。所以壓力差的物理意義就是漏泄（或滲透）風(fēng)量通過潔凈室的各種縫隙時的阻力。

  潔凈空間的溫濕度主要是根據(jù)工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應(yīng)考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現(xiàn)了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。具體工藝對溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來越精細，所以對溫度波動范圍的要求越來越小。例如在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數(shù)的差要求越來越小。直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗以后，對產(chǎn)品將有污染，特別是怕鈉的半導(dǎo)體車間，這種車間溫度不宜超過25度，濕度過高產(chǎn)生的問題更多。相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結(jié)露，如果發(fā)生在精密裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學(xué)吸附在表面難以qc。相對濕度越高,粘附的越難去掉，但當(dāng)相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時大量半導(dǎo)體器件容易發(fā)生擊穿。對于硅片生產(chǎn)最jia濕度范圍為35-45%。

     目前，gmp藥廠凈化工程，有的生產(chǎn)廠家采用手動方式進行控制風(fēng)量和風(fēng)壓的調(diào)節(jié)，但由于控制風(fēng)量和風(fēng)壓的調(diào)節(jié)閥均在技術(shù)隔層，而且吊頂也都是彩鋼板的軟吊頂，基本上都是在安裝調(diào)試時調(diào)好，此后，大都沒再調(diào)節(jié)過，實際上也無法調(diào)節(jié)。為確保潔凈廠房的正常生產(chǎn)和工作，應(yīng)設(shè)置一套較完整的自控裝置，實現(xiàn)以下功能：潔凈室空氣潔凈度、溫濕度、壓差監(jiān)控、風(fēng)閥調(diào)節(jié)；高純氣體、純水和循環(huán)冷卻水的溫度、壓力、流量的檢測；氣體純度、純水水質(zhì)的監(jiān)測等。