氧化鎵靶材Ga2O3靶材磁控濺射靶材

氧化鎵靶材Ga2O3靶材磁控濺射靶材相關信息由北京晶邁中科材料技術有限公司提供。如需了解更詳細的氧化鎵靶材Ga2O3靶材磁控濺射靶材的信息，請點擊 http://www.zgmflm.cn/b2b/jmzk.html 查看北京晶邁中科材料技術有限公司的詳細聯系方式。

[手機端查看]

劉東(銷售經理)

13811695426

立即咨詢

北京晶邁中科材料技術有限公司

010-86208200

北京市通州區張家灣鎮北大化村東2幢二層B2256

1005041598@qq.com

[店鋪小程序]

氧化鎵靶材Ga2O3靶材磁控濺射靶材氧化鎵靶材Ga2O3靶材磁控濺射靶材圖片氧化鎵靶材Ga2O3靶材磁控濺射靶材生產廠家

北京晶邁中科材料技術有限公司

創建于2016年,是國內有色金屬行業綜合性研究開發公司。現有員工100余人。我公司光學鍍膜材料中心以國內{lx1}的技術，多年來一直專業從事光學鍍膜材料及濺射靶材的研發與生產。靶材包括各種氧化物、硫化物、氟化物、碲化物、硒化物、硼化物、復合物、金屬及合金等。通過嚴格控制生產、并持續改進、穩步發展，致力為客戶提供{zy}質的產品

進入網站

詳細信息我也要發布信息到此頁面

科研實驗專用氧化鎵靶材Ga2O3靶材磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發料

產品介紹

氧化鎵（Ga2O3）別名是三氧化二鎵，是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV；不溶于水，微溶于熱酸或堿溶液，易溶于堿金屬氫氧化物和稀無機酸；有α，β兩種變體，α型為白色菱形六面體，熔點：1900℃(在600℃時轉化為β型)。用作高純分析試劑、用于電子工業半導體材料制備。它是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。
產品參數
中文名氧化鎵分子式 Ga2O3
分子量 187.44 熔點 1740℃
密度 5.88g/ml 純度 99.99%
支持合金靶材定制，請提供靶材產品的元素、比例（重量比或原子比）、規格，我們會盡快為您報價！！
服務項目：靶材成份比例、規格、純度均可按需定制。科研單位貨到付款，質量保證，售后無憂！
產品附件：發貨時產品附帶裝箱單/質檢單/產品為真空包裝
適用儀器：多種型號磁控濺射、熱蒸發、電子束蒸發設備
質量控制：嚴格控制生產工藝，采用輝光放電質譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測手段，分析雜質元素含量保證材料的高純度與細小晶粒度；可提供質檢報告。
加工流程：熔煉→提純→鍛造→機加工→檢測→包裝出庫

鄭重聲明：產品【氧化鎵靶材Ga2O3靶材磁控濺射靶材】由北京晶邁中科材料技術有限公司發布，版權歸原作者及其所在單位，其原創性以及文中陳述文字和內容未經(企業庫www.zgmflm.cn)證實，請讀者僅作參考，并請自行核實相關內容。若本文有侵犯到您的版權，請你提供相關證明及申請并與我們聯系（qiyeku # qq.com）或【在線投訴】，我們審核后將會盡快處理。
會員咨詢QQ群：902340051 入群驗證：企業庫會員咨詢.

類似產品