持久型小型濺射儀KT-Z1650PVD水冷式濺射源，可實現(xiàn)高功率持續(xù)運行，有電壓 電流反饋,樣品臺旋轉(zhuǎn)，樣品高度調(diào)節(jié)，及電動擋板功能。通過定時調(diào)節(jié)預濺射功率及薄膜沉積功率，可對大部分金屬進行均勻物理沉積，真空腔室為透明石英玻璃減少樣品污染，樣品臺可旋轉(zhuǎn)以獲得更均勻的薄膜，可制備各種金屬薄膜。
電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛倫茲力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi)，該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長。
桌面式濺射儀KT-Z1650PVD廠家供應技術參數(shù)；
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控制方式
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7寸人機界面 手動 自動模式切換控制
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濺射電源
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直流濺射電源
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鍍膜功能
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0-999秒5段可變換功率及擋板位和樣品速度程序
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功率
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≤1000W
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輸出電壓電流
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電壓≤1000V 電流≤1A
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真空
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機械泵 ≤5Pa（5分鐘） 分子泵≤5*10^-3Pa
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濺射真空
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≤30Pa
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擋板類型
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電控
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真空腔室
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石英+不銹鋼腔體φ160mm x 170mm
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樣品臺
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可旋轉(zhuǎn)φ62 （可安裝φ50基底）
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樣品臺轉(zhuǎn)速
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8轉(zhuǎn)/分鐘
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樣品濺射源調(diào)節(jié)距離
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40-105mm
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真空測量
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皮拉尼真空計（已安裝 測量范圍10E5Pa 1E-1Pa）
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預留真空接口
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KF25抽氣口 KF16放氣口 6mm卡套進氣口
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