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1. 它的應非常廣泛,去封裝的芯片,未去封裝的芯片,容,FPC,甚小尺寸的路板(PCB、PCBA),這也就讓你可以在樣品的不同階段都可以使thermal術進,如下圖示例,樣品路板漏定位到某QFN封裝器件漏,將該器件拆下后現漏善,該器件焊引線來,未封定位為某引腳,封后針再做,進一步確認為晶圓某引線位置漏導致,如有需要可接著做SEM,FIB等。
未封器件
封器件
2. 它能測的半導體缺陷也非常廣泛,微安級漏,低阻抗短路,ES擊傷,閂效應點,屬層部短路等等,而容的漏和短路點定位,FPC,PCB,PCBA的漏,微短路等也能夠jq定位
lock-in相
封芯片漏
GAN-SIC器件
3,它是無損:為日常的失效,往往樣品量稀少,這就要求失效術{zh0}是無損的,而于某些例如陶瓷容和FPC的缺陷,雖然測能測存在缺陷,但是具體缺陷位置,市的無損如XRAY或超聲波,卻很難進定位,只能通過樣品進破壞性切片,且只能隨機挑選位置,而通過Thermal 術,你需要的只是給樣品,就可以述兩種缺陷進定位
FPC缺陷
容缺陷
4,相熱成像(LOCK IN THERMOGRAPHY):相術,將溫度分辨率高到0.001℃,5um分辨率鏡頭,可以測uA級漏流和微短路缺陷,遠由于傳統熱成像及液晶熱點測法(0.1℃分辨率,mA級漏流熱點)
5,系統能夠測量芯片等微觀器件的溫度分布,了一種速測熱點和熱梯度的有效手段,熱分布不僅能顯示缺陷的位置,在半導體領域
在集成路操期間,內部結加熱導致接處的熱量集中。器件中的峰值溫度處于接處本身,并且熱從接部向外傳導到封裝中。因此,器件操期間的jq結溫測量是熱表征的組成部分。
芯片附著缺陷可能是由于諸如不充分或污染的芯片附著材料,分層或空隙等原因引起的。Sentris熱工具(如 圖像序列)可于評估樣品由內到外的熱量傳遞過程,以便確定管芯接的完整性。
OPTOTHERM Sentris 熱射顯微鏡系統為一臺專為缺陷定位的系統,專為子產品FA設計,通過特別的LOCK-IN術,使LWIR鏡頭,仍能將將溫度分辨率升到0.001℃(1mK),同時光學分辨率{zg}達到5um,尤其其系統經過多年的優化,具有非常易和實,以下是OPTOTHERM Sentris 熱射顯微鏡系統過程的說明視頻
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紅外熱成像儀(熱成像儀或紅外熱成像儀)是通過非接觸測紅外能量(熱量),并將其轉換為號,進而在顯示器成熱圖像和溫度值,并可以溫度值進計算的一種檢測設備。
1.根據熱像儀分測原理可以分為光子測和熱測兩種
熱成像儀有光子測和熱測兩種不同的原理。前者主要是光子在半導體材料產的效應進成像,敏感度高,但測器本身的溫度會其產影響,因而需要降溫。熱測器是指測元件吸收入射的紅外輻射能量而引起溫升,在此礎借助各種物理效應把溫升轉變成量的一種測器。敏感度不如前者但是無需冷。
由于熱測器是輻射引起物體的溫升效應,因此,它任何波長的輻射都有響應,所以稱熱測器為無選擇性測器,這是它同光子測器的一大差別。熱測器的展比光子測器早,但如今一些光子測器的測率已接近背景限,而熱測器的測率離背景噪聲限還有很大差距。
2.根據熱像儀工的波段可以分為長波、短波、中波紅外熱像儀
還根據熱成像儀的工波段、所使的感光材料進分類。常見熱成像儀工在3到5微或8到12微,一般把8-12微稱為長波段紅外熱像儀,3-5微稱為短波紅外熱像儀,5-8微是中波紅外熱像儀,這些都各有各的優缺點,常感光材料則有硫化鉛、硒化鉛、硫化錮、硫錫鉛、硫鎘、摻雜儲和摻雜硅等。一般來說冷型的紅外熱像儀采的硫錫鉛、硫鎘等,非冷的紅外熱像儀采的是多晶硅,氧化釩等。
3.根據感光元件數量和運動方式,則有機械掃描、凝視成像型等。
4.根據是否測溫紅外熱像儀又分為成像型和測溫型,一般來說現在市面測溫型的紅外熱像儀價格比成像型的價格高一些。成像型的紅外熱像儀畫面表現為溫度分布,但是并不具備測溫的功能。
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