該技術利用激光燒蝕沉積在氧化硅或者氮化硅上面的薄膜鋁金屬,實現低串聯電阻的歐姆接觸。由于背面電池采用了點接觸的結構,金屬復合大幅度減少,背面電池的鈍化性能大幅度增加。該技術解決了傳統電池背面復合高的缺陷。
電極是點接觸形式,呈一定排列分布。
省去了在鍍鋁膜后的燒結工藝。
步驟少,用到化學試劑少,工藝簡單。
節省成本,轉換率相對較高。
Specification:
飛行光路,速度10,000 contacts/s
燒結深度:0.5-4μm
工作區域:125mm x 125 mm, 156mm x 156mm
開放式絕緣層