初凝多晶硅定向生長鑄錠的鑄造裝置及其制作方法和應用

[簡介]： 本實用新型涉及多晶硅鑄錠爐設計與制造技術領域，旨在提供用于多晶硅垂直定向生長的隨動隔熱環熱場結構。該熱場結構包括包括內設有側面包圍式的隔熱籠體的爐室，坩堝及熱場均置于隔熱籠體中，隔熱籠體的上端與提升裝置相連...

用于多晶硅垂直定向生長的隨動隔熱環熱場結構

[簡介]： 本發明涉及多晶硅鑄錠爐設計與制造技術領域，旨在提供用于多晶硅垂直定向生長的隨動隔熱環熱場結構。該熱場結構包括包括內設有側面包圍式的隔熱籠體的爐室，坩堝及熱場均置于隔熱籠體中，隔熱籠體的上端與提升裝置相連；隔...

據日本稀有金屬雜志2005年11月24日報道，世界半導體與太陽能多晶硅需求緊張，主要是由于以歐洲為中心的太陽能市場迅速擴大，預計2006年，2007年多晶硅供應不平衡的局面將為愈演愈烈，多晶硅價格方面半導體級與太陽能級原有的差別將逐步減小甚至xc，2005年世界太陽能電池產量約1GW，如果以1MW用多晶硅12噸計算，共需多晶硅是1.2萬噸，2005－2010年世界太陽能電池平均年增長率在25%，到2010年全世界半導體用于太陽能電池用多晶硅的年總的需求量將超過6.3萬噸。

多晶硅的定向生長方法

[簡介]： 一種定向凝固去除多晶硅中金屬雜質的方法，包括如下步驟：（1）原料硅在石墨坩堝中熔化，將硅液倒入定向凝固裝置中，蓋上保溫板，并保持上部溫度在1450～1500&#176C；（2）硅液的表面上放置石墨板，石墨板與外界直流電壓的負極相接，定...

一種定向凝固去除多晶硅中金屬雜質的方法以及裝置

[簡介]： 一種定向凝固多晶硅錠的方法，包括加熱熔化、凝固長晶、冷卻，其特征是在冷卻階段保持多晶硅錠底部散熱通道繼續開啟，使多晶硅錠底部溫度循之前趨勢繼續緩慢下降；與此同時逐漸減小爐子加熱功率，使多晶硅錠溫度持續下降，直至...