初凝多晶硅定向生長鑄錠的鑄造裝置及其制作方法和應用

[簡介]： 本實用新型涉及多晶硅鑄錠爐設(shè)計與制造技術(shù)領(lǐng)域，旨在提供用于多晶硅垂直定向生長的隨動隔熱環(huán)熱場結(jié)構(gòu)。該熱場結(jié)構(gòu)包括包括內(nèi)設(shè)有側(cè)面包圍式的隔熱籠體的爐室，坩堝及熱場均置于隔熱籠體中，隔熱籠體的上端與提升裝置相連...

用于多晶硅垂直定向生長的隨動隔熱環(huán)熱場結(jié)構(gòu)

[簡介]： 本發(fā)明涉及多晶硅鑄錠爐設(shè)計與制造技術(shù)領(lǐng)域，旨在提供用于多晶硅垂直定向生長的隨動隔熱環(huán)熱場結(jié)構(gòu)。該熱場結(jié)構(gòu)包括包括內(nèi)設(shè)有側(cè)面包圍式的隔熱籠體的爐室，坩堝及熱場均置于隔熱籠體中，隔熱籠體的上端與提升裝置相連；隔...

多晶是眾多取向晶粒的單晶的集合。多晶與單晶內(nèi)部均以點陣式的周期性結(jié)構(gòu)為其基礎(chǔ)，對同一品種晶體來說，兩者本質(zhì)相同。兩者不同處在于單晶是各向異性的，多晶則是各向同性的。在攝取多晶衍射圖或進行衍射計數(shù)時，多晶樣亦有其特色。

簡介

多晶是眾多取向晶粒的單晶的集合。多晶與單晶內(nèi)部均以點陣式的周期性結(jié)構(gòu)為其基礎(chǔ)，對同一品種晶體來說，兩者本質(zhì)相同。兩者不同處在于單晶是各向異性的，多晶則是各向同性的。在攝取多晶衍射圖或進行衍射計數(shù)時，多晶樣亦有其特色。

多晶體中當晶粒粒度較小時，晶粒難于直觀呈現(xiàn)晶面、晶棱等形象，樣品清晰度差，呈散射光。這種場合的多晶亦常稱作粉晶(powder crystal)。

項目建設(shè)條件和生產(chǎn)布局

（一）多晶硅項目應當符合國家產(chǎn)業(yè)政策、用地政策及行業(yè)發(fā)展規(guī)劃，新建和改擴建項目投資中最i低資本金比例不得低于30%。嚴格控制在能源短缺、電價較高的地區(qū)新建多晶硅項目，對缺乏綜合配套、安全衛(wèi)生和環(huán)保不達標的多晶硅項目不予核準或備案。

（二）在依法設(shè)立的基本農(nóng)田保護區(qū)、自然保護區(qū)、風景名勝區(qū)、飲用水水源保護區(qū)，居民集中區(qū)、療養(yǎng)地、食品生產(chǎn)地等環(huán)境條件要求高的區(qū)域周邊1000米內(nèi)或國家、地方規(guī)劃的重點生態(tài)功能區(qū)的敏感區(qū)域內(nèi)，不得新建多晶硅項目。已在上述區(qū)域內(nèi)投產(chǎn)運營的多晶硅項目要根據(jù)該區(qū)域有關(guān)規(guī)劃，依法通過搬遷、轉(zhuǎn)停產(chǎn)等方式逐步退出。

（三）在政府投資項目核準新目錄出臺前，新建多晶硅項目原則上不再批準。但對加強技術(shù)創(chuàng)新、促進節(jié)能環(huán)保等確有必要建設(shè)的項目，報國i務院投資主管部門組織論證和核準。