顯微熱成像術參數_optotherm紅外熱顯微鏡-立特為智能話：15219504346 （溫先）

關鍵詞：  Optotherm IS640 SENTRIS，Thermal Emission Microscope system

1. 它的應非常廣泛，去封裝的芯片，未去封裝的芯片，容，FPC,甚小尺寸的路板（PCB、PCBA）,這也就讓你可以在樣品的不同階段都可以使thermal術進，如下圖示例，樣品路板漏定位到某QFN封裝器件漏，將該器件拆下后現漏善，該器件焊引線來，未封定位為某引腳，封后針再做，進一步確認為晶圓某引線位置漏導致，如有需要可接著做SEM,FIB等。

未封器件

封器件

2. 它能測的半導體缺陷也非常廣泛，微安級漏，低阻抗短路，ES擊傷，閂效應點，屬層部短路等等，而容的漏和短路點定位，FPC,PCB,PCBA的漏，微短路等也能夠jq定位

lock-in相

封芯片漏

GAN-SIC器件

3，它是無損：為日常的失效，往往樣品量稀少，這就要求失效術{zh0}是無損的，而于某些例如陶瓷容和FPC的缺陷，雖然測能測存在缺陷，但是具體缺陷位置，市的無損如XRAY或超聲波，卻很難進定位，只能通過樣品進破壞性切片，且只能隨機挑選位置，而通過Thermal 術，你需要的只是給樣品，就可以述兩種缺陷進定位

FPC缺陷

容缺陷

4,相熱成像（LOCK IN THERMOGRAPHY）：相術，將溫度分辨率高到0.001℃，5um分辨率鏡頭，可以測uA級漏流和微短路缺陷，遠由于傳統熱成像及液晶熱點測法（0.1℃分辨率，mA級漏流熱點）

5，系統能夠測量芯片等微觀器件的溫度分布，了一種速測熱點和熱梯度的有效手段，熱分布不僅能顯示缺陷的位置，在半導體領域

在集成路操期間，內部結加熱導致接處的熱量集中。器件中的峰值溫度處于接處本身，并且熱從接部向外傳導到封裝中。因此，器件操期間的jq結溫測量是熱表征的組成部分。

芯片附著缺陷可能是由于諸如不充分或污染的芯片附著材料，分層或空隙等原因引起的。Sentris熱工具（如 圖像序列）可于評估樣品由內到外的熱量傳遞過程，以便確定管芯接的完整性。

OPTOTHERM Sentris 熱射顯微鏡系統為一臺專為缺陷定位的系統，專為子產品FA設計，通過特別的LOCK-IN術，使LWIR鏡頭，仍能將將溫度分辨率升到0.001℃（1mK），同時光學分辨率{zg}達到5um,尤其其系統經過多年的優化，具有非常易和實，以下是OPTOTHERM Sentris 熱射顯微鏡系統過程的說明視頻

LEADERWE (‘Leaderwe intelligent international limited ‘and ‘ShenZhen Leaderwe Intelligent Co.,Ltd‘)為Optotherm公司中國表（獨理），在深圳設立optotherm紅外熱應實驗室，負責該設備的演示和售，如有相關應，可免費評估測試。

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紅外熱成像顯微鏡

隨著子器件的不斷縮小，熱器和熱耗散變得越來越重要。微型熱顯微鏡可以測量并顯示溫度分布的半導體器件的表面，使熱點和熱梯度可顯示缺損位置，通常導致效率下降和早期故障的速檢測。

產品特點

檢測芯片的熱點和缺陷

子元件和路板故障斷

測量結溫

甄別芯片鍵缺陷

測量熱阻封裝
 
應

激光二極管性能和失效

20微/像素固定焦距

50度廣角聚焦鏡頭

320*240非冷測器

30幀/秒拍攝和顯示速度

0—300攝氏度測量范圍

室溫測量

便于使——1分鐘安裝測量待命

紅外熱成像配

了一廣泛的工具

幫助客戶非常容易而速獲取溫度息。

實時的帶狀圖、拍攝及回放序列

不同視角和建設性的數據手段

熱點及缺陷鏈接方法

infrasight MI的紅外攝像機的靈敏度高結先進的降噪和圖像增強算法檢測和定位的熱點在半導體器件消耗小于1毫瓦的功率和升高溫度，表現只有0.05攝氏度。短時間試驗中，設備通常是的5到10秒。I/O模塊使{zd0}功耗是與測試同步。測試平均阻低于一歐姆短路檢測。因為低阻短路消失，只有少量的和熱，一系列的測試可以一起平均高測試靈敏度。動停止功能I/O模塊繼器動切斷源，設備/板為一個預先定義的閾值以的短溫度升高。

這種安全功能可以幫助防止設備/板損壞，同時定位時間。微量可于測量功能的器件結溫。為了準確測量結溫，一個模具的表面射率的地圖必須首先被創建。該裝置是安裝在溫階段控在均勻的溫度。然后計算thermalyze的表面，適于熱圖像糾正射率的變化在死像素的射率的地圖像素。測量結溫，設備，{zg}溫度區域內圍交界處測量。